[發(fā)明專利]對單晶體進行晶體再取向的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310138565.1 | 申請日： | 2008-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN103203671A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | B·V·塔尼凱拉;C·阿科納;D·I·金德漢;C·D·瓊斯;M·A·辛普森 | 申請（專利權(quán)）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B7/22 | 分類號： | B24B7/22;B24B49/12;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶體 進行 晶體 再取 方法 | ||
1.一種改變一個單晶體的晶體取向的方法，包括：
表征該單晶體的一個晶體取向；
計算在該單晶體的一個選擇的晶體方向與沿該單晶體的一個初始第一外部主表面的平面的晶體方向的一個投影之間的一個取向偏離角；
相對于一個研磨表面被固定該單晶體，其中一條第一軸線由垂直于該初始第一外部主表面的一個方向限定，在一位置上一條第二軸線由垂直于該研磨表面的方向限定，其中經(jīng)固定，該第一軸線和該第二軸線彼此相對有角度并且不同軸；并且
從該初始第一外部主表面的至少一部分上去除材料以改變該取向偏離角；
其中在去除材料過程中該第一軸線和該第二軸線彼此相對保持有角度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在從該初始第一外部主表面上去除材料之前該取向偏離角大于0.05°。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在從該初始第一外部主表面上去除材料之后該取向偏離角小于0.05°。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在去除材料的過程中，該取向偏離角被改變了不小于0.01°的一個德爾塔(Δ)角。
5.一種用于使一個單晶體進行晶體再取向的方法，包括：
通過使該單晶體的一個晶體取向與該單晶體的一個初始第一外部主表面的取向相關(guān)聯(lián)來表征該單晶體；
相對于一個研磨表面被固定該單晶體，其中一條第一軸線由垂直于該初始第一外部主表面的一個方向限定，在一位置上一條第二軸線由垂直于該研磨表面的方向限定，其中經(jīng)固定，該第一軸線和該第二軸線彼此相對有角度并且不同軸；并且
從所述初始第一外部主表面上去除材料以限定與該初始第一外部主表面不平行的一個修整的第一外部主表面，以改變該單晶體的晶體取向；
其中在去除材料過程中該第一軸線和該第二軸線彼此相對保持有角度。
6.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的方法，其中在該第一軸線和該第二軸線之間的角度不大于30°。
7.如權(quán)利要求6中所述的方法，其中該角度不大于5°。
8.如權(quán)利要求7中所述的方法，其中該角度不大于1°。
9.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的方法，其中該單晶體是藍(lán)寶石。
10.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的方法，其中進一步包括由該單晶體形成一個盤。
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