[發(fā)明專利]非制冷焦平面熱像儀盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310138301.6 | 申請日: | 2013-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN103245418A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 程有度;李龍;孫光英;李立華;王敏;姜煒波;趙薇薇;楊登全;楊東 | 申請(專利權(quán))人: | 昆明物理研究所 |
| 主分類號: | G01J5/02 | 分類號: | G01J5/02;G02B26/04 |
| 代理公司: | 昆明今威專利商標(biāo)代理有限公司 53115 | 代理人: | 賽曉剛 |
| 地址: | 650223 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制冷 平面 熱像儀盤式 斬波器 逐列推掃 調(diào)制 方法 | ||
1.非制冷焦平面熱像儀盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法,其特征在于:非制冷焦平面熱像儀內(nèi)的探測器光敏面⑷固定不動,斬波器的調(diào)制盤在勻速旋轉(zhuǎn)調(diào)制過程中,對于調(diào)制盤的曝光扇葉⑴或調(diào)制盤的遮擋扇葉⑵的任意一條扇葉邊緣⑶,在其掃過探測器光敏面中心(O2)的時刻,該條扇葉邊緣⑶與探測器光敏面⑷的兩個長對邊同時相交。
2.按照權(quán)利要求1所述的盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法,其特征在于:該條扇葉邊緣⑶接近平行于探測器光敏面⑷的短邊、沿探測器光敏面⑷的長邊方向逐列推掃調(diào)制。
3.按照權(quán)利要求1所述的盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法,其特征在于:當(dāng)調(diào)制盤的扇葉邊緣⑶的曲線類型給定后,盤式斬波器的設(shè)計優(yōu)化技術(shù)特征為探測器光敏面⑷要盡量遠(yuǎn)離調(diào)制盤圓心(O1)而與調(diào)制盤的外圓內(nèi)接;斬波器調(diào)制盤旋轉(zhuǎn)到亮場同步時刻時,斬波器調(diào)制盤的曝光扇葉⑴的兩條扇葉邊緣⑶盡量平行地掃過探測器光敏面⑷的兩條短邊的中點(A1)和(A2)。
4.按照權(quán)利要求3所述的盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法,其特征在于:調(diào)制盤的扇葉邊緣⑶為直邊,盤式斬波器的設(shè)計優(yōu)化技術(shù)特征為長方形探測器光敏面⑷要盡量遠(yuǎn)離調(diào)制盤圓心(O1)而與調(diào)制盤的外圓內(nèi)接于(B1)和(B2);斬波器調(diào)制盤旋轉(zhuǎn)到亮場同步時刻時,斬波器調(diào)制盤的曝光扇葉⑴的兩條扇葉邊緣⑶盡量平行地掃過探測器光敏面⑷的兩條短邊的中點(A1)和(A2)。
5.按照權(quán)利要求3所述的盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法,其特征在于:調(diào)制盤的扇葉邊緣⑶為阿基米德螺旋線,盤式斬波器的設(shè)計優(yōu)化技術(shù)特征為長方形探測器光敏面⑷要盡量遠(yuǎn)離調(diào)制盤圓心(O1)而與調(diào)制盤的外圓內(nèi)接于(B1),調(diào)制盤的曝光扇葉⑴的兩條扇葉邊緣⑶分別與探測器光敏面⑷的兩個短邊相切,距調(diào)制盤圓心(O1)遠(yuǎn)的切點位于探測器光敏面⑷遠(yuǎn)短邊的中點(A1),距調(diào)制盤圓心(O1)近的切點接近于探測器光敏面⑷近短邊的中點(A2);斬波器調(diào)制盤旋轉(zhuǎn)到亮場同步時刻時,斬波器調(diào)制盤的曝光扇葉⑴的兩條扇葉邊緣⑶盡量平行地掃過探測器光敏面⑷的兩條短邊的中點(A1)和(A2)。
6.按照權(quán)利要求3所述的盤式斬波器逐列推掃調(diào)制方法,其特征在于:調(diào)制盤的扇葉邊緣⑶為漸開線,盤式斬波器的設(shè)計優(yōu)化技術(shù)特征為長方形探測器光敏面⑷要盡量遠(yuǎn)離調(diào)制盤圓心(O1)而與調(diào)制盤的外圓內(nèi)接于(B1),調(diào)制盤的曝光扇葉⑴的兩條扇葉邊緣⑶分別與探測器光敏面⑷的兩個短邊相切于探測器光敏面⑷兩個短邊的中點(A1)和(A2);斬波器調(diào)制盤旋轉(zhuǎn)到亮場同步時刻時,斬波器調(diào)制盤的曝光扇葉⑴的兩條扇葉邊緣⑶盡量平行地掃過探測器光敏面⑷的兩條短邊的中點(A1)和(A2)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昆明物理研究所,未經(jīng)昆明物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310138301.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種多工位落球沖擊試驗機
- 下一篇:一種安全擋瓦





