[發明專利]從有機氨基硅烷前體制備氧化硅薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310137899.7
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN103397306B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: H·思里丹達姆;蕭滿超;雷新建;T·R·加夫尼
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/448
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華

1.通過氣相沉積法形成氧化硅薄膜的方法，所述方法包括：

在氣相沉積室內提供底物；

將選自以下的氨基硅烷或其混合物引入到所述氣相沉積室內：

和

將選自氧、過氧化氫、臭氧和一氧化氮、或其混合物的氧化劑引入到所述氣相沉積室內，其中所述氧化劑與所述氨基硅烷反應以在所述底物上提供所述氧化硅薄膜。

2.權利要求1的方法，其中在氣相沉積過程中所述底物的溫度為在350-700℃的范圍內。

3.權利要求1的方法，其中在氣相沉積過程中的壓力在0.1托至500托的范圍內。

4.權利要求1的方法，其中所述氣相沉積法為選自如下的至少一種：低壓化學氣相沉積和等離子體增強化學氣相沉積。

5.權利要求1的方法，其中所述氣相沉積法為化學氣相沉積。

6.權利要求1的方法，其中所述氣相沉積法為原子層沉積。

7.權利要求1的方法，進一步包括將惰性氣體引入到所述氣相沉積室內。

8.權利要求1的方法，其中氧化劑與氨基硅烷的摩爾比例在0.1-10:1的范圍。

9.權利要求1的方法，其中在所述沉積室內摻入氮源，用于形成摻雜有碳、氮、和氫的氧化硅薄膜。

10.權利要求1-9任一項的方法，其中所述氨基硅烷由下式表示：

11.權利要求1-9任一項的方法，其中所述氨基硅烷由下式表示：

12.用于沉積選自氧化硅和氧氮化硅薄膜的薄膜的組合物，所述組合物包含：

選自以下的氨基硅烷或其混合物：

13.權利要求12的組合物，進一步包含選自肼、二甲基肼、氮和氨的氮源。

14.權利要求12的組合物，進一步包含選自氧、過氧化氫、臭氧和一氧化氮的氧化劑。

15.權利要求13的組合物，其中所述氨基硅烷由下式表示：

16.權利要求12-14任一項的組合物，其中所述氨基硅烷由下式表示：

17.權利要求12-14任一項的組合物，其中所述氨基硅烷由下式表示：

18.權利要求12的組合物，進一步包含惰性氣體。

19.權利要求18的組合物，其中所述惰性氣體選自氮氣或氦氣。