[發明專利]一種基于反鐵磁自旋轉向現象的傳感器有效
| 申請號： | 201310136977.1 | 申請日： | 2013-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN103235274A | 公開（公告）日： | 2013-08-07 |
| 發明（設計）人： | 鄒呂寬;蔡建旺 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王藝 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 反鐵磁 自旋 轉向 現象 傳感器 | ||
1.一種基于反鐵磁自旋轉向(spin?flop)現象的傳感器，由人工反鐵磁多層膜組成，其特征在于，
所述人工反鐵磁多層膜采用磁控濺射方法制備而成，其結構由下至上包括：
基片、緩沖層、第一鐵磁層、非磁金屬層、第二鐵磁層和蓋帽層。
2.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于：
所述緩沖層的材料為過渡族3d、4d或5d金屬，
所述緩沖層的厚度為1nm-1000nm。
3.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于：
所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層的材料為：鎳、鈷或鐵，或者由鎳、鈷和鐵中至少兩元素組成的合金，或者由多種鐵磁層組成的復合鐵磁層，
所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層的厚度為1nm-100nm。
4.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于：
所述非磁金屬層的材料為以下材料中的任一種：
釕、銅、銀、金、鉻、鈀和鋁，
所述非磁金屬層的厚度為0.1-5nm。
5.如權利要求1-4任一項所述的傳感器，其特征在于：
所述基片的材料為硅或玻璃，
所述蓋帽層的材料為過渡族3d、4d或5d金屬，所述蓋帽層的厚度為1nm-1000nm。
6.一種基于反鐵磁自旋轉向(spin?flop)現象的傳感器，由人工反鐵磁多層膜組成，其特征在于，
所述人工反鐵磁多層膜采用磁控濺射方法制備而成，其結構由下至上包括：
基片、緩沖層、第1鐵磁層、第1非磁金屬層、第n鐵磁層、第n非磁金屬層、第n+1鐵磁層和蓋帽層，其中，n為大于1的自然數。
7.如權利要求6所述的傳感器，其特征在于：
所述緩沖層的材料為過渡族3d、4d或5d金屬，
所述緩沖層的厚度為1nm-1000nm。
8.如權利要求6所述的傳感器，其特征在于：
所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層的材料為：鎳、鈷或鐵，或者由鎳、鈷和鐵中至少兩元素組成的合金，或者由多種鐵磁層組成的復合鐵磁層，
所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層的厚度為1nm-100nm。
9.如權利要求6所述的傳感器，其特征在于：
所述非磁金屬層的材料為以下材料中的任一種：
釕、銅、銀、金、鉻、鈀和鋁，
所述非磁金屬層的厚度為0.1nm-5nm。
10.如權利要求6-9任一項所述的傳感器，其特征在于：
所述基片的材料為硅或玻璃，
所述蓋帽層的材料為過渡族3d、4d或5d金屬，所述蓋帽層的厚度為1nm-1000nm。
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