[發明專利]襯底支撐設備以及襯底處理設備有效
| 申請號: | 201310136374.1 | 申請日: | 2013-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN103531513A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 鄭相坤;金亨源;申裕植 | 申請(專利權)人: | 吉佳藍科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 支撐 設備 以及 處理 | ||
1.一種襯底支撐設備,其特征在于,包括:底板,經配置以將襯底支撐在所述底板上,且具有冷卻氣體流動通過的多個供應管;頂板,經配置以可卸除地耦接到所述底板,且具有空穴以使支撐在所述底板上的所述襯底的頂表面暴露;以及密封構件,經配置以耦接到所述底板,且在所述頂板與所述底板之間以及所述襯底與所述底板之間形成冷卻空間。
2.根據權利要求1所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述頂板圍繞所述底板的頂部部分以及側面,所述冷卻氣體流動通過的流動路徑形成在所述底板的側面與所述頂板的側壁之間,且所述密封構件密封所述襯底與所述頂板之間的間隙。
3.根據權利要求2所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述頂板設有收納所述底板的凹入的收納部分,所述收納部分具有比所述底板的直徑大的直徑,且所述流動路徑形成在所述底板的側面與所述收納部分的側壁之間,以通過所述流動路徑將所述冷卻氣體供應到所述頂板的背表面的周圍。
4.根據權利要求1所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述頂板覆蓋所述底板的頂部部分,所述密封構件密封所述襯底與所述頂板之間的間隙,且所述密封構件具有設置在所述頂板的周圍與所述底板的周圍之間的密封環。
5.根據權利要求1到4中任一項所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述冷卻空間包括形成在所述襯底與所述底板之間的第一冷卻空間以及形成在所述頂板與所述底板之間的第二冷卻空間,且所述底板包括用于將所述冷卻氣體供應到所述第一冷卻空間的第一供應管以及用于將所述冷卻氣體供應到所述第二冷卻空間的第二供應管。
6.根據權利要求1到4中任一項所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述底板包括環形的收納凹部,所述密封構件的下部部分的一部分插入且固持在所述收納凹部中。
7.根據權利要求6所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述密封構件包括插入所述收納凹部中的下部部分以及朝所述收納凹部的頂部部分突出的上部部分,且所述上部部分的外側與所述頂板接觸且內側與所述襯底接觸,以防止所述冷卻氣體泄漏到所述襯底與所述頂板之間的空間中。
8.根據權利要求7所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述密封構件的所述上部部分的橫截面寬度大于、等于或小于所述下部部分的橫截面寬度。
9.根據權利要求7所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述密封構件的所述上部部分的橫截面形狀為在頂側左右劃分的形狀以及多邊形、圓形和橢圓形形狀中的至少一者。
10.根據權利要求7所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述密封構件的所述下部部分的橫截面寬度在上下方向上具有相同寬度,或具有向下逐漸增大的寬度。
11.根據權利要求1到4中任一項所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述密封構件形成為對應于所述襯底的環形狀。
12.根據權利要求1到4中任一項所述的襯底支撐設備,其特征在于,所述密封構件包括與所述襯底接觸的第一密封構件以及與所述頂板接觸的第二密封構件。
13.一種襯底處理設備,其特征在于,包括:室,經配置以形成襯底處理空間;襯底卡盤,經配置以設置在所述室內部的下部部分中;以及襯底支撐單元,放置在所述襯底卡盤上,以將襯底定位于其中,所述襯底支撐單元具有經配置以彼此耦接而將所述襯底插入于兩者之間的頂板和底板,以及具有經配置以將冷卻氣體供應到所述襯底以及所述頂板的每一背表面的冷卻路徑。
14.根據權利要求13所述的襯底處理設備,其特征在于,所述冷卻路徑包括:第一冷卻路徑,設有通過所述底板的第一供應管以及連接到所述第一供應管且形成在所述襯底與所述底板之間的第一冷卻空間;以及第二冷卻路徑,設有通過所述底板的第二供應管以及連接到所述第二供應管且形成在所述頂板與所述底板之間的第二冷卻空間。
15.根據權利要求14所述的襯底處理設備,其特征在于,所述第一供應管以及第二供應管連接到通過所述襯底卡盤的氣體通道。
16.根據權利要求13到15中任一項所述的襯底處理設備,其特征在于,所述襯底處理設備包括耦接到所述底板且經配置以使所述冷卻路徑彼此分離的密封構件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





