[發(fā)明專利]清潔晶圓的裝置和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310136296.5
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN103871839B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發(fā)明（設計）人: 黃嘉宏;黃正吉;楊棋銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種清潔半導體晶圓的裝置，包括：

腔室；

可旋轉襯底支持件，位于所述腔室內(nèi)，所述可旋轉襯底支持件被配置成在其上裝配一個或多個半導體晶圓；

臂狀件；

噴嘴，與所述臂狀件連接且位于所述可旋轉襯底支持件上方，所述噴嘴被配置成向所述一個或多個半導體晶圓提供清潔介質(zhì)；以及

蓋狀件，面朝下方，與所述噴嘴流體連接，所述蓋狀件的形狀具有帶有頂部截面積的頂部邊緣和帶有底部截面區(qū)域的底部邊緣，所述蓋狀件的每個點具有半徑R和相對于所述底部截面區(qū)域的高度H，半徑R和高度H的乘積是常數(shù)；

其中，所述臂狀件被配置為將所述噴嘴和所述蓋狀件在所述述可旋轉襯底支持件上方移動或者旋轉。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述蓋狀件的所述頂部邊緣和所述底部邊緣均為圓形，而且所述底部邊緣大于所述頂部邊緣。

3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述蓋狀件的所述底部截面區(qū)域的尺寸小于所述可旋轉襯底支持件的尺寸。

4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述一個或多個半導體晶圓中的每一個均包含多個芯片。

5.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述可旋轉襯底支持件的尺寸至少大到足以支持兩個或更多個半導體晶圓。

6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，在所述底部邊緣處的所述蓋狀件的所述底部截面區(qū)域的尺寸不小于所述可旋轉襯底支持件的尺寸。

7.根據(jù)權利要求6所述的裝置，其中，所述可旋轉襯底支持件的尺寸至少大到足以支持一個半導體晶圓。

8.根據(jù)權利要求6所述的裝置，其中，所述可旋轉襯底支持件的尺寸至少大到足以支持兩個或更多個半導體晶圓。

9.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其中，所述可旋轉襯底支持件為圓形并且大到足以在所述可旋轉襯底支持件上對稱地支持所述兩個或更多個半導體晶圓；以及

所述蓋狀件與所述可旋轉襯底支持件同心對準。

10.一種清潔半導體晶圓的方法，包括：

將一個或多個半導體晶圓裝配在腔室內(nèi)的可旋轉襯底支持件上；

以預定速度旋轉所述可旋轉襯底支持件；以及

通過噴嘴和與所述噴嘴流體連接的蓋狀件，以預定流速向所述一個或多個半導體晶圓噴灑清潔介質(zhì)，其中，所述蓋狀件具有帶有頂部截面區(qū)域的頂部邊緣和帶有底部截面區(qū)域的底部邊緣，所述蓋狀件的每個點具有半徑R和相對于所述底部截面區(qū)域的高度H，半徑R和高度H的乘積是常數(shù)；

其中，所述噴嘴與臂狀件連接且位于所述可旋轉襯底支持件上方，所述臂狀件被配置為將所述噴嘴和所述蓋狀件在所述述可旋轉襯底支持件上方移動或者旋轉。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述一個或多個半導體晶圓中的每一個均包括至少一個通過多個焊料凸塊與其相接合的集成電路；以及

所述一個或多個半導體晶圓包括將要去除的助焊劑殘留物。

12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述蓋狀件的所述頂部邊緣和所述底部邊緣均具有圓形截面，并且所述底部邊緣的所述底部截面區(qū)域大于所述頂部邊緣的所述頂部截面區(qū)域。

13.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，在所述底部邊緣處，所述蓋狀件的尺寸不小于所述可旋轉襯底支持件的尺寸。

14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述一個或多個半導體晶圓中的每一個均包含多個芯片。

15.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，所述可旋轉襯底支持件的尺寸至少大到足以支持兩個或更多半導體晶圓。

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，進一步包括：

在所述可旋轉襯底支持件上對稱地裝配兩個或更多個半導體晶圓；并且

與所述可旋轉襯底支持件同心地對準所述蓋狀件。