[發(fā)明專利]一種硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310136109.3
• 申請(qǐng)日: 2013-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104112698B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 余明偉

1.一種硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括：

低k介質(zhì)硬膜層，結(jié)合于基底表面；

氟硅玻璃層，結(jié)合于所述低k介質(zhì)硬膜層表面；

金屬硬膜層；結(jié)合于所述氟硅玻璃層表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基底包括SiCN層以及結(jié)合于所述SiCN層表面的超低k介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述低k介質(zhì)硬膜層為八甲基環(huán)四硅氧烷層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬硬膜層為氮化鈦硬膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)還包括結(jié)合于所述金屬硬膜層表面的屏蔽氧化層。

6.一種硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1）提供一基底，于基底表面形成低k介質(zhì)硬膜層；

2）于所述低k介質(zhì)硬膜層表面形成氟硅玻璃層；

3）于所述氟硅玻璃層表面形成金屬硬膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟2）中，采用高密度等離子體化學(xué)氣相淀積法HDPCVD或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD制備所述氟硅玻璃層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述基底包括SiCN層以及結(jié)合于所述SiCN層表面的超低k介質(zhì)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述低k介質(zhì)硬膜層為八甲基環(huán)四硅氧烷層，所述金屬硬膜層為氮化鈦硬膜層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬掩膜疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：還包括于所述金屬硬膜層表面形成屏蔽氧化層的步驟。