[發明專利]一種半導體結構及其形成方法在審
| 申請號： | 201310135962.3 | 申請日： | 2013-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN104112663A | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發明（設計）人： | 吳海平;黃寶偉;劉鵬飛;肖秀光 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
A.提供襯底；
B.對所述襯底的背面進行摻雜；
C.在所述襯底的背面形成襯墊層；
D.在所述襯底的正面制作正面結構；
E.去除所述襯墊層及減薄所述襯底，以暴露出所述襯底的背面；以及
F.在所述襯底的背面制作背面結構。
2.如權利要求1所述的半導體結構形成方法，其特征在于，所述襯底與所述襯墊層的初始厚度之和為400-700微米。
3.如權利要求1所述的半導體結構形成方法，其特征在于，通過外延或者鍵合在所述襯底的背面形成襯墊層。
4.如權利要求3所述的半導體結構形成方法，其特征在于，通過外延方法形成的所述襯墊層時，所述襯底的初始厚度為300-400微米，所述襯墊層的厚度小于100微米。
5.如權利要求3所述的半導體結構形成方法，其特征在于，通過鍵合方法形成的所述襯墊層時，所述襯底的初始厚度為150-400微米，所述襯墊層的厚度大于100微米。
6.如權利要求1所述的半導體結構形成方法，其特征在于，通過研磨腐蝕方法去除所述襯墊層及減薄所述襯底。
7.如權利要求1所述的半導體結構形成方法，其特征在于，所述襯底的電阻率為10-300Ω/cm。
8.如權利要求1所述的半導體結構形成方法，其特征在于，對所述襯底的背面進行摻雜為深擴散摻雜。
9.如權利要求1-8任一項所述的半導體結構形成方法，其特征在于，所述半導體結構為IGBT器件。
10.如權利要求9所述的半導體結構形成方法，其特征在于，所述襯底為第一摻雜類型的輕摻雜襯底，并且對所述襯底的背面進行摻雜為第一類型的重摻雜。
11.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構是通過權利要求1-10任一項所述的半導體結構形成方法得到的。
12.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構為IGBT器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
