[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310135962.3
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN104112663A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳海平;黃寶偉;劉鵬飛;肖秀光
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

A.提供襯底；

B.對所述襯底的背面進(jìn)行摻雜；

C.在所述襯底的背面形成襯墊層；

D.在所述襯底的正面制作正面結(jié)構(gòu)；

E.去除所述襯墊層及減薄所述襯底，以暴露出所述襯底的背面；以及

F.在所述襯底的背面制作背面結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述襯底與所述襯墊層的初始厚度之和為400-700微米。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，通過外延或者鍵合在所述襯底的背面形成襯墊層。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，通過外延方法形成的所述襯墊層時，所述襯底的初始厚度為300-400微米，所述襯墊層的厚度小于100微米。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，通過鍵合方法形成的所述襯墊層時，所述襯底的初始厚度為150-400微米，所述襯墊層的厚度大于100微米。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，通過研磨腐蝕方法去除所述襯墊層及減薄所述襯底。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述襯底的電阻率為10-300Ω/cm。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，對所述襯底的背面進(jìn)行摻雜為深擴(kuò)散摻雜。

9.如權(quán)利要求1-8任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為IGBT器件。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述襯底為第一摻雜類型的輕摻雜襯底，并且對所述襯底的背面進(jìn)行摻雜為第一類型的重?fù)诫s。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是通過權(quán)利要求1-10任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法得到的。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為IGBT器件。