[發明專利]一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310135767.0
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN103247757A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 沈祥;王國祥;聶秋華;陳益敏;李軍建;徐鐵峰;戴世勛;呂業剛
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C22C12/00
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料，其特征在于：該材料是一種由鋅，銻，碲三種元素組成的混合物。

2.根據權利要求1所述的一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料，其特征在于：所述的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料的化學結構式為Zn_X(Sb₂Te₃)_100-X，其中0<x<40。

3.根據權利要求1所述的一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料采用Sb₂Te₃合金靶和Zn單質靶共濺射形成。

4.根據權利要求1所述的一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料的化學結構式為Zn_33.32(Sb₂Te₃)_66.68。

5.根據權利要求1所述的一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料的化學結構式為Zn_38.82(Sb₂Te₃)_61.18。

6.一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料的制備方法，其特征在于具體包括以下步驟：

（1）在磁控濺射鍍膜系統中將鋅單質靶材安裝在磁控直流濺射靶中，將Sb₂Te₃靶材安裝在磁控射頻濺射靶中，采用石英片或氧化硅片作為襯底；

（2）將磁控濺射鍍膜系統的濺射腔室進行抽真空處理直至室內真空度達到1.6×10^-4Pa，然后向濺射腔室內通入體積流量為47.6ml/min的高純氬氣直至濺射腔室內氣壓達到濺射所需起輝氣壓0.3Pa；

（3）然后將鋅單質靶的濺射功率控制為0-10W，合金Sb₂Te₃靶的濺射功率控制為60-100W，于室溫下濺射鍍膜，濺射200秒后，即得到沉積態的Zn摻雜Sb₂Te₃相變存儲薄膜材料，其化學結構式為Zn_X(Sb₂Te₃)_100-X，其中0<x<40。

7.根據權利要求6所述的一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料的化學結構式為Zn_33.32(Sb₂Te₃)_66.68。

8.根據權利要求6所述的一種用于相變存儲器的Zn-Sb-Te相變存儲薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的相變存儲薄膜材料的化學結構式為Zn_38.82(Sb₂Te₃)_61.18。