[發明專利]一種使深紫外光學薄膜具有光學穩定性的處理方法無效
| 申請號: | 201310134863.3 | 申請日: | 2013-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN103235353A | 公開(公告)日: | 2013-08-07 |
| 發明(設計)人: | 金春水;常艷賀;李春;鄧文淵;靳京城 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | G02B1/12 | 分類號: | G02B1/12 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人: | 張偉 |
| 地址: | 130033 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 深紫 光學薄膜 具有 光學 穩定性 處理 方法 | ||
1.一種使深紫外光學薄膜具有光學穩定性的處理方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
步驟i:去除需要鍍膜的襯底表面的吸附物;
步驟ii:應用先進等離子體源對真空室中的襯底進行預處理,以清理襯底表面的附著物;
步驟iii:根據薄膜的膜系結構,在清洗后的襯底上,采用熱舟蒸發沉積工藝進行深紫外氟化物多層膜的制備,實現深紫外光學薄膜的設計光譜;
步驟iv:利用先進等離子體源,以異于步驟ii中的預處理的能量密度對沉積后的薄膜再次進行轟擊處理。
2.根據權利要求1所述的處理方法,其特征在于,所述步驟i中去除需要鍍膜的光學襯底表面的吸附物的步驟具體包括:超聲清洗、慢拉脫水和氮氣吹干。
3.根據權利要求1所述的處理方法,其特征在于,所述步驟iv中,以先進等離子體源對沉積后的薄膜再次進行轟擊處理時,
放電電流的調整范圍為:30-50A;
放電電壓的調整范圍為:80-120V。
4.根據權利要求1-3任意一項中所述的處理方法,其特征在于,所述步驟iii中的深紫外氟化物多層膜包括:LaF3、GdF3、MgF2和AlF3薄膜材料。
5.根據權利要求1-3任意一項中所述的處理方法,其特征在于,所述步驟iii中的深紫外氟化物多層膜包括:高反射膜、增透膜和偏振膜。
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