[發明專利]一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法

有效

• 申請號: 201310133783.6
• 申請日: 2013-04-17
• 公開（公告）號: CN103227102A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 吳文剛;楊增飛;錢闖;王詣斐
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y40/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐寧;關暢

1.一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其包括以下步驟：

1）采用4英寸單面拋光單晶硅襯底,通過化學氣相淀積方法在硅襯底表面淀積出一層聚對二甲苯薄膜；

2）通過傳統光刻方法，在硅襯底表面制作所需的光刻膠掩模圖形；

3）采用氧等離子體刻蝕方法，刻蝕裸露的聚對二甲苯薄膜；

4）采用金剛石劃片機對硅襯底進行劃片；

5）采用丙酮去除在硅襯底表面的光刻膠；

6）將硅襯底在溫度為120℃的濃硫酸、雙氧水的混合液中浸泡10分鐘，取出后用去離子水清洗5～10次；

7）取10～15uL的制備好的納米顆粒懸濁液，滴入到裝有1mL乙醇的容器中，將兩種液體混合均勻并緩慢倒入已裝有去離子水的培養皿中；

8）將步驟6）得到的硅襯底完全浸泡在培養皿中的液體后，取出放置在另一培養皿中，并水平放入一干燥箱內，在室溫條件下自然蒸發后，即得到具有圖形化納米顆粒的硅襯底。

2.如權利要求1所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟2）中，光刻膠掩模厚度為1.0μm～2.0μm。

3.如權利要求1所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟3）中，聚對二甲苯薄膜厚度為50nm～150nm。

4.如權利要求2所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟3）中，聚對二甲苯薄膜厚度為50nm～150nm。

5.如權利要求1或2或3或4所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟6）中，雙氧水的質量分數為40%，濃硫酸和雙氧水的體積比為4:1。

6.如權利要求1或2或3或4或5所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟7）中的納米顆粒懸濁液為聚苯乙烯納米顆粒懸濁液。

7.如權利要求1或2或3或4或5所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟7）中的納米顆粒懸濁液為二氧化硅納米顆粒懸濁液。

8.如權利要求1～9任一項所述的一種圖形化納米顆粒自組裝制造方法，其特征在于：所述步驟8）中，在干燥箱內通入氮氣加速蒸發。