[發明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201310133205.2
• 申請日: 2013-04-17
• 公開（公告）號: CN104112789A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 林建宏;高武羣;程立偉;蔣天福
• 申請（專利權）人: 聯景光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板的一第一表面上形成一保護層；

在該基板的一第二表面上形成一鈍化層；

在該鈍化層上形成至少一第一型半導體圖案以及至少一第二型半導體圖案，其中該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案共平面且彼此鄰接；

在該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案的交界處形成一溝渠，以使該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案彼此電性絕緣；

在該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案上形成一種子層，且該種子層的導電率大于9×10⁵S/m；以及

在該種子層上形成一電極層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第一表面相對于該第二表面。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，在形成該保護層之前，還包括：

對該第一表面進行一表面織構化制程。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該保護層的材料包括氮化硅、氧化硅及氧化鋁其中至少一個。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該保護層的方法包括等離子體增強化學氣相沈積、常壓化學氣相沈積或原子層沈積。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，在該鈍化層上形成該第一型半導體圖案以及該第二型半導體圖案的方法包括：

在該鈍化層上設置一第一遮罩，該第一遮罩曝露出該鈍化層的一第一區域；

在該第一區域上形成該第一型半導體圖案；

在該鈍化層上設置一第二遮罩，該第二遮罩遮蔽該第一型半導體圖案并曝露出該第一型半導體圖案以外的一第二區域；以及

在該第二區域上形成該第二型半導體圖案。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中一個為N型半導體圖案，且該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中另一個為P型半導體圖案。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該溝渠的制造方法包括：

以激光鉆孔或濕式蝕刻移除位于該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案的交界處的該第一型半導體圖案及該第二型半導體圖案其中至少一個，且該溝渠曝露出一部分的該鈍化層。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該溝渠是在該種子層及該電極層之前形成，且該溝渠的深度等于該第一型半導體圖案或該第二型半導體圖案的厚度，該溝渠并曝露出一部分的該鈍化層。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該種子層的方法或形成該電極層的方法包括網版印刷或電鍍，且該種子層及該電極層曝露出該部分的該鈍化層。

11.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該溝渠是在該電極層之后形成，且該溝渠的深度等于該第一型半導體圖案、該種子層及該電極層的厚度的總和，或等于該第二型半導體圖案、該種子層及該電極層的厚度的總和，該溝渠并曝露出一部分的該鈍化層。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該種子層的方法包括以網版印刷、電鍍或熱蒸鍍的方式將該種子層的材料全面地覆蓋于該第一型半導體圖案與該第二型半導體圖案上，而形成該電極層的方法包括以網版印刷、電鍍、熱蒸鍍、電解或化學氣相沉積的方式將該電極層的材料全面地覆蓋于該種子層上。

13.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該種子層的材料包括鎳、鈦、銀、鋁或鈷。

14.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該種子層的厚度小于20納米。

15.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該電極層的材料包括銀、鋁或銅。