[發明專利]半導體器件、半導體器件制造方法、液晶顯示裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201310133195.2
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN103208528A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 森茂;東海林功;田邊浩;柴田惠
• 申請（專利權）人: NLT科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉曉峰

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在支撐基板上形成半導體膜，所述半導體膜的厚度在20nm到40nm的范圍內；

在所述半導體膜上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極；以及

在所述半導體膜中形成源極區和漏極區，和形成分別在所述源極區與柵極電極之下的溝道形成區域之間和在所述漏極區與所述溝道形成區域之間的低濃度區域，所述低濃度區域每一個都具有小于所述源極區的硼濃度和所述漏極區的硼濃度的硼濃度，并且在所述支撐基板的一側上的下表面側區域內的硼濃度小于在相對側上的上表面側區域的硼濃度；

其中所述低濃度區域被形成為使得所述低濃度區域中的每一個的薄層電阻具有3×10⁵Ω/□到2×10⁷Ω/□的范圍。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述源極區和所述漏極區被形成為使得所述源極區和所述漏極區每一個都包括從所述半導體膜的在所述支撐基板的所述一側上的下表面沿厚度方向的、硼濃度在3.1×10¹⁸cm^-3到3.4×10²⁰cm^-3的范圍內的區域。

3.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在支撐基板上形成半導體膜，所述半導體膜的厚度在20nm到40nm的范圍內；

在所述半導體膜上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極；以及

在所述半導體膜中形成源極區和漏極區，和形成分別在所述源極區與柵極電極之下的溝道形成區域之間和在所述漏極區與所述溝道形成區域之間的低濃度區域，所述低濃度區域每一個都具有小于所述源極區的硼濃度和所述漏極區的硼濃度的硼濃度，并且在所述支撐基板的一側上的下表面側區域內的硼濃度小于在相對側上的上表面側區域的硼濃度；

其中，所述源極區和所述漏極區被形成為使得所述源極區和所述漏極區每一個都包括從所述半導體膜的在所述支撐基板的所述一側上的下表面沿厚度方向的、硼濃度在3.1×10¹⁸cm^-3到3.4×10²⁰cm^-3的范圍內的區域。

4.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在支撐基板上形成半導體膜，所述半導體膜的厚度在20nm到40nm的范圍內；

在所述半導體膜上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極；以及

在所述半導體膜中形成源極區和漏極區，和形成分別在所述源極區與柵極電極之下的溝道形成區域之間和在所述漏極區與所述溝道形成區域之間的低濃度區域，所述低濃度區域每一個都具有小于所述源極區的硼濃度和所述漏極區的硼濃度的硼濃度，并且在所述支撐基板的一側上的下表面側區域內的硼濃度小于在相對側上的上表面側區域的硼濃度；

其中，所述半導體膜被形成為使得乘積A×B在包括光源的發光波長的波長范圍上的積分不超過5，其中A是用入射到所述半導體膜上的光線的發光光譜的最大值對入射到所述半導體膜上的光線的發光光譜進行標準化而獲得的相對強度譜，而B是用所述半導體膜的吸收光譜的最大值對所述半導體膜的吸收光譜進行標準化而獲得的相對強度譜。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述低濃度區域被形成為使得所述低濃度區域中的每一個的薄層電阻具有3×10⁵Ω/口到2×10⁷Ω/口的范圍。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，所述源極區和所述漏極區被形成為使得所述源極區和所述漏極區每一個都包括從所述半導體膜的在所述支撐基板的所述一側上的下表面沿厚度方向的、硼濃度在3.1×10¹⁸cm^-3到3.4×10²⁰cm^-3的范圍內的區域。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述源極區和所述漏極區被形成為使得所述源極區和所述漏極區每一個都包括從所述半導體膜的在所述支撐基板的所述一側上的下表面沿厚度方向的、硼濃度在3.1×10¹⁸cm^-3到3.4×10²⁰cm^-3的范圍內的區域。