[發(fā)明專利]一種氮化硼包覆碳納米管的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310132293.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103172050A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張藝;嚴(yán)偉;許家瑞;劉四委;池振國(guó) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01B31/02 | 分類(lèi)號(hào): | C01B31/02;C01B21/064;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100 | 代理人: | 周端儀 |
| 地址: | 510275 *** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 硼包覆碳 納米 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種碳納米管(Carbon?nanotube?CNT),更具體地,涉及一種氮化硼(BN)包覆碳納米管的制備方法,屬于無(wú)機(jī)非金屬材料領(lǐng)域。
背景技術(shù)
碳納米管(CNTs)由于具有管徑小、長(zhǎng)徑比大、獨(dú)特的卷曲石墨片層結(jié)構(gòu)和納米尺度等特征,使其具有高強(qiáng)度與高的電導(dǎo)率及熱導(dǎo)率(約3000W/(mK))、低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能,在力學(xué)增強(qiáng)、電磁屏蔽、納(微)米器件、清潔能源等領(lǐng)域展現(xiàn)出極其廣泛的應(yīng)用前景。因此,自從1991年被發(fā)現(xiàn)以來(lái)(Sumio?lijima.Helical?Microtubles?of?Graphitic?Carbon.Nature,1991,354:56~58),很快成為材料科學(xué)工作者的研究熱點(diǎn)。
氮化硼(BN)陶瓷具有極好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性、良好的抗氧化性能、介電性能。相對(duì)其它導(dǎo)熱填料(三氧化二鋁(Al2O3)、碳化硅(SiC)和氮化鋁(AlN)等),其絕緣性最佳。如:在常溫下,電阻率能夠達(dá)到1016~1018Ω.cm范圍內(nèi),其介電損耗為8,介電常數(shù)2~5,其擊穿強(qiáng)度大約為30kV/mm。由于BN較好的絕緣性質(zhì),可在高頻高壓等環(huán)境中使用,能夠被用來(lái)生產(chǎn)各種器件;同時(shí),氮化硼的結(jié)構(gòu)與碳極其相似,二者具有很好的結(jié)構(gòu)匹配性,因此可以很容易地在碳納米管表面包覆氮化硼并形成良好的結(jié)合,獲得氮化硼包覆的碳納米管。從而充分利用二者的導(dǎo)熱性能,同時(shí)又能發(fā)揮氮化硼的絕緣性,得到導(dǎo)熱絕緣氮化硼包覆的碳納米管復(fù)合材料。
氮化硼包覆碳納米管制備技術(shù)有相應(yīng)報(bào)道,例如:中國(guó)專利CN101259960A《一種制備氮化硼包覆碳納米管/納米線及氮化硼納米管的方法》,其以金屬硼氫化物,氟硼酸鹽作硼源,以銨鹽作氮源,在500~600℃下反應(yīng)8~18h,自然冷卻后得到灰黑色的氮化硼包覆碳納米管/納米線,將所得的氮化硼包覆碳納米管/納米線在空氣中加熱至750~800℃進(jìn)行氧化處理,最終得到灰色的氮化硼納米管。Y.Morihisa等用三氯化硼與氮?dú)馔ㄟ^(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法,制備氮化硼包覆碳納米管,目的是提高復(fù)合材料的場(chǎng)發(fā)射特性(Y.Morihisa,C.Kimura,M.Yukawa,H.Aoki,T.Kobayashy,S.Hayashi,S.Akita,Y.Nakayama,T.J.Sugino,J.Vac.Sci.Technol.B2008,26:872.);L.Chen和C.N.R.Rao等人利用碳納米管在硼酸溶液或硼酸粉末中浸漬滲透后,并在NH3氣氛下進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚玫降鸢蔡技{米管及碳化硅纖維復(fù)合粉體(L.Chen,H.Ye,Y.Gogotski,J.Am.Ceram.Soc.2003,86:1830;②L.Chen,H.Ye,Y.Gogotski,J.Am.Ceram.Soc.2004,87,147;F.L.Deepak,C.P.Vinod,K.Mukhopadhyay,A.Govindaraj,C.N.R.Rao,Chem.Phys.Lett.2002,353:345.)。C.N.R.Rao等利用碳納米管在硼酸和尿素溶液中浸漬,N2氣氛下進(jìn)行高溫處理,得到氮化硼包覆碳纖維及碳納米管材料(A.Gomathy,M.Ramya?Harika,C.N.R.Rao,Mater.Sci.Eng.A2008,476:29.)。以上方法溶劑較為單一,且操作復(fù)雜,同時(shí)未對(duì)氮化硼包覆碳納米管進(jìn)行多次浸漬,即較難控制氮化硼涂層的厚度及包覆狀態(tài),對(duì)發(fā)揮氮化硼的絕緣性有一定的影響。因此,本發(fā)明提供了簡(jiǎn)易的制備氮化硼包覆碳納米管的方法,利用不同溶劑與硼酸和尿毒制備前驅(qū)體溶液,使碳納米管均勻分散,同時(shí),對(duì)氮化硼包覆碳納米管進(jìn)行多次浸漬,得到較厚氮化硼涂層,為很好發(fā)揮氮化硼的性能,且可以結(jié)合碳納米管的優(yōu)異的導(dǎo)熱性,制備新型的復(fù)合粉體材料,拓展其在聚合物材料中的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種工藝簡(jiǎn)單、操作方便且包覆效果好的氮化硼包覆碳納米管的制備方法。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種氮化硼包覆碳納米管的制備方法,其特征在于包括以下步驟:(1)對(duì)碳納米管的預(yù)處理,用酸對(duì)碳納米管進(jìn)行回流處理,并用去離子水清洗至中性,真空干燥備用;(2)將硼酸與尿素溶于溶劑中,取步驟(1)所得碳納米管超聲分散于該溶液,制備氮化硼包覆碳納米管前驅(qū)體溶液,過(guò)濾,空氣中干燥得粉體;(3)高溫?zé)Y(jié),制得氮化硼包覆碳納米管復(fù)合粉體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中山大學(xué),未經(jīng)中山大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310132293.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 用于鋰離子電池負(fù)極的碳包覆納米硼復(fù)合材料的制備方法
- 摻鋰磷酸硼修飾的碳包覆磷酸錳鐵鋰正極材料及其制備方法
- 一種高低溫環(huán)境下具有高穩(wěn)定性的硼摻雜改性的軟碳包覆負(fù)極材料及其制備方法
- 一種具有高倍率性能的硼摻雜改性的硬碳包覆負(fù)極材料及其液相制備方法
- 一種碳硼復(fù)合球包覆的磷酸鐵鋰電極的制備方法
- 一種硼、氮摻雜碳多孔納米管包覆鉑合金納米顆粒材料催化劑及其制備方法和應(yīng)用
- 軟碳包覆的硼摻雜硅基負(fù)極材料及制備方法和應(yīng)用
- 一種金屬/碳包覆硼基復(fù)合燃料及其制備方法
- 二硼化鈦包覆的硅碳材料及其制備方法和應(yīng)用
- 一種硼摻雜樹(shù)脂包覆人造石墨材料





