[發(fā)明專利]一種高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310132154.1
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN104104339B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 劉簾曦;鄒姣;朱樟明;楊銀堂;牛越
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03F3/08
• 分類號: H03F3/08
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

1.一種高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，包括：

級聯(lián)的推挽反相器組成的前饋通路，其輸入端輸入小電流信號，其輸出端輸出大電壓信號；

反饋電阻，連接在所述前饋通路的輸入端與輸出端之間；

自動增益控制通路，連接在所述前饋通路的輸入端與輸出端之間，并與所述反饋電阻并聯(lián)；

分流管，連接在所述前饋通路的輸入端與電阻分壓器之間；

電阻分壓器，連接在所述分流管與所述前饋通路的輸出端之間，用于控制分流管的導通與關(guān)斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述前饋通路包括：級聯(lián)的第一級推挽反相器、第二級推挽反相器以及第三級推挽反相器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述第一級推挽反相器包括：第一PMOS晶體管、第二NMOS晶體管和第三NMOS晶體管；

其中，所述第一PMOS晶體管的源極連接電源電壓Vdd，所述第二NMOS晶體管的源極連接地信號gnd，所述第一PMOS晶體管的柵極和所述第二NMOS晶體管的柵極均連接所述前饋通路的輸入端，輸入電壓為V_in，所述第一PMOS晶體管的漏極和所述第二NMOS晶體管的漏極均連接所述第三NMOS晶體管的柵極和漏極，所述第三NMOS晶體管的源極連接地信號gnd。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述第二級推挽反相器包括：第四PMOS晶體管、第五NMOS晶體管以及第六NMOS晶體管；

其中，所述第四PMOS晶體管的源極連接所述電源電壓Vdd，所述第五NMOS晶體管的源極連接所述地信號gnd，所述第四PMOS晶體管的柵極和所述第五NMOS晶體管的柵極均連接所述第三NMOS晶體管的漏極，所述第四PMOS晶體管的漏極和所述第五NMOS晶體管的漏極均連接所述第六NMOS晶體管的柵極和漏極，所述第六NMOS晶體管的源極連接所述地信號gnd。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述第三級推挽反相器包括：第七PMOS晶體管、第八NMOS晶體管以及第九NMOS晶體管；

其中，所述第七PMOS晶體管的源極連接所述電源電壓Vdd，所述第八NMOS晶體管的源極連接所述地信號gnd，所述第七PMOS晶體管的柵極和所述第八NMOS晶體管的柵極均連接所述第六NMOS晶體管的漏極，所述第七PMOS晶體管的漏極和所述第八NMOS晶體管的漏極均連接所述第九NMOS晶體管的柵極和漏極，所述第九NMOS晶體管的源極連接所述地信號gnd，所述前饋通路的輸出端連接第九NMOS晶體管的漏極，且所述輸出端的輸出電壓為V_out。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述自動增益控制通路包括：第十NMOS晶體管以及與所述第十NMOS晶體管串聯(lián)的一電阻；

其中，所述第十NMOS晶體管的柵極和所述電阻的一端均連接所述前饋通路的輸出端，所述第十NMOS晶體管的漏極連接所述電阻的另一端，所述第十NMOS晶體管的源極連接所述前饋通路的輸入端。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述分流管為第十一NMOS晶體管，所述電阻分壓器包括：第一分壓電阻以及第二分壓電阻；

其中，所述第一分壓電阻的一端連接所述前饋通路的輸出端，所述第一分壓電阻的另一端和所述第二分壓電阻的一端均連接所述第十一NMOS晶體管的柵極，所述第二分壓電阻的另一端和所述第十一NMOS晶體管的源極均連接地信號gnd，所述第十一NMOS晶體管的漏極連接所述前饋通路的輸入端。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高增益寬動態(tài)范圍CMOS跨阻放大器，其特征在于，所述第一分壓電阻的阻值大于第二分壓電阻的阻值。