[發明專利]一種外延InSb襯底的表面處理方法

有效

• 申請號: 201310131975.3
• 申請日: 2013-04-16
• 公開（公告）號: CN103236396A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 程鵬;趙超;劉銘
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 齊潔茹

1.一種外延InSb襯底的表面處理方法，其特征在于，包括：

步驟1，清洗待處理的InSb晶片，并將清洗后的InSb晶片進行干燥處理；

步驟2，配制腐蝕液，并將干燥處理后的InSb晶片放入所述腐蝕液中進行濕化學處理；其中，配制的腐蝕液為配比為0.05%～10%的溴-甲醇，或者，HNO₃:HF:CH₃COOH:DI?H₂O的配比為1～5：0.5～5：0.5～5：5～100的CP4體系溶液；

步驟3，對濕化學處理后的InSb晶片進行沖洗，并將沖洗后的InSb晶片進行干燥處理，得到表面處理后的InSb晶片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟2中：

當采用溴-甲醇進行腐蝕時，腐蝕溫度為0～25℃，腐蝕時間為5s～10min；

當采用CP4體系溶液進行腐蝕時，腐蝕溫度為0～50℃，腐蝕時間為5s～10min。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法中，采用水浴加熱的方式，將所述腐蝕液加熱到指定的腐蝕溫度。

4.如權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述步驟2中，在配制腐蝕液后，將配制的腐蝕液靜置10min～60min，再將InSb晶片放入所述腐蝕液中進行濕化學處理。

5.如權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述步驟2具體包括：

將InSb晶片置入夾具中固定，然后將固定有InSb晶片的夾具放入配制的腐蝕液中，并進行有節奏的上下或左右晃動，使晶面表面腐蝕均勻。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3中，采用去離子水對濕化學處理后的InSb晶片沖洗。

7.如權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述步驟3中，對濕化學處理后的InSb晶片沖洗10min～30min。

8.如權利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述步驟3中，將沖洗后的InSb晶片采用甩干或者氮氣吹干的方式進行干燥處理。