[發明專利]晶圓中的劃線有效
| 申請號: | 201310131836.0 | 申請日: | 2013-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN103681661B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發明(設計)人: | 陳愉婷;楊敦年;劉人誠;洪豐基;林政賢;蔡雙吉 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 中的 劃線 | ||
1.一種晶圓,包括:
半導體襯底;
多個芯片,布置成行和列,所述半導體襯底延伸到所述多個芯片的每一個芯片中;
多條第一劃線,位于所述多個芯片的行之間,其中,所述多條第一劃線中的每一條劃線都包括:
含金屬部件劃線,在其中包含金屬部件;和
不含金屬部件劃線,平行于所述含金屬部件劃線且鄰接所述含金屬部件劃線;以及
多條第二劃線,位于所述多個芯片的列之間;
溝槽,穿透所述不含金屬部件劃線中的多個介電層,其中,所述溝槽進一步穿透所述襯底;
載具,結合至所述多個介電層,其中,所述溝槽不延伸到所述載具中;
其中,所述含金屬部件劃線鄰接第一密封環,而所述不含金屬部件劃線鄰接第二密封環,并且所述第一密封環和所述第二密封環分別位于所述多個芯片的第一芯片和第二芯片中。
2.根據權利要求1所述的晶圓,其中,所述多條第二劃線中的每一條劃線都包括:
另一含金屬部件劃線,在其中包含金屬部件;以及
另一不含金屬部件劃線,平行于所述另一含金屬部件劃線且鄰接所述另一含金屬部件劃線。
3.根據權利要求1所述的晶圓,其中,在所述多條第二劃線中的每一條劃線中不包含金屬部件。
4.根據權利要求1所述的晶圓,還包括:
多個圖像傳感器,位于所述半導體襯底以及所述多個芯片的每一個芯片中。
5.根據權利要求1所述的晶圓,其中,所述含金屬部件劃線中的金屬部件選自由測試焊盤、金屬線、通孔和它們的組合所組成的組。
6.根據權利要求1所述的晶圓,其中,所述含金屬部件劃線包括多個所述介電層的一部分。
7.根據權利要求1所述的晶圓,其中,所述不含金屬部件劃線的寬度大于5μm。
8.一種半導體器件,包括:
管芯,包含第一邊緣、第二邊緣、第三邊緣和第四邊緣;
密封環,位于所述管芯中并且包含第一邊、第二邊、第三邊和第四邊,其中,所述第一邊、所述第二邊、所述第三邊和所述第四邊分別平行且鄰近于所述第一邊緣、所述第二邊緣、所述第三邊緣和所述第四邊緣;
第一管芯邊緣區域,位于所述第一邊和所述第一邊緣之間,在所述第一管芯邊緣區域中不形成金屬部件;
第二管芯邊緣區域,位于所述第二邊和所述第二邊緣之間,在所述第二管芯邊緣區域中形成金屬部件,并且所述管芯的第二邊緣沒有暴露出所述第二管芯邊緣區域中的金屬部件。
9.根據權利要求8所述的半導體器件,還包括:
第三管芯邊緣區域,位于所述第三邊和所述第三邊緣之間,在所述第三管芯邊緣區域中不形成金屬部件,并且所述第三管芯邊緣區域和所述第一管芯邊緣區域互連來形成第一L形區域;以及
第四管芯邊緣區域,位于所述第四邊和所述第四邊緣之間,在所述第四管芯邊緣區域中形成另一些金屬部件,所述管芯的第四邊緣沒有暴露出所述第四管芯邊緣區域中的金屬部件,并且所述第四管芯邊緣區域和所述第二管芯邊緣區域互連來形成第二L形區域。
10.根據權利要求8所述的半導體器件,其中,所述管芯還包括:
半導體襯底,包括位于所述密封環中的第一部分和位于所述密封環外的第二部分;以及
多個圖像傳感器,位于所述半導體襯底中。
11.根據權利要求10所述的半導體器件,還包括:位于所述第二管芯邊緣區域中并且平行于所述第二邊緣的第五邊緣,所述第五邊緣是所述半導體襯底的邊緣,并且所述第二邊緣是位于所述管芯中的載具的邊緣。
12.根據權利要求11所述的半導體器件,其中,所述第二邊緣比所述第五邊緣離所述密封環的第二邊更遠。
13.根據權利要求8所述的半導體器件,其中,所述金屬部件選自由測試焊盤、金屬線、通孔和它們的組合所組成的組。
14.根據權利要求8所述的半導體器件,其中,所述第二邊和所述第二邊緣之間的距離大于20μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





