[發明專利]深溝槽隔離的LED發光單元的電極橋接方法

有效

• 申請號: 201310131166.2
• 申請日: 2013-04-16
• 公開（公告）號: CN103236475A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 黃華茂;王洪;蔡鑫;王俊杰
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.深溝槽隔離的LED發光單元的電極橋接方法，適用于具有深溝槽隔離的多個發光單元的大尺寸LED芯片，其特征在于包括如下步驟：

（A）在發光單元的上表面、隔離溝槽的側壁和底部沉積第一層鈍化層；

（B）旋涂液態絕緣材料，發光單元之間的隔離溝槽被液態絕緣材料填滿，并在整個芯片表面形成平整的絕緣材料薄膜；

（C）在高溫下，液態絕緣材料轉變為固態；

（D）干法刻蝕或濕法腐蝕絕緣材料薄膜，使得發光單元表面上方的第一層鈍化層暴露，而隔離溝槽處絕緣材料的表面與發光單元表面上方的第一層鈍化層的表面齊平；

（E）沉積第二層鈍化層，將隔離溝槽處的絕緣材料封閉在第一層鈍化層和第二層鈍化層之間；

（F）對于多個發光單元串聯或并聯的絕緣型襯底大尺寸LED芯片，在p型電極和n型電極所在的位置上方，采用光刻工藝并干法刻蝕或濕法腐蝕第一層鈍化層和第二層鈍化層，制備容納p型電極和n型電極的電極槽；對于多個發光單元并聯的導電型襯底大尺寸LED芯片，在p型電極所在的位置上方，采用光刻工藝并干法刻蝕或濕法腐蝕第一層鈍化層和第二層鈍化層，制備容納p型電極的電極槽；

（G）沉積金屬，并采用剝離技術，在電極槽內制備電極，同時在第二層鈍化層上表面制備電極連接橋。

2.如權利要求1所述的電極橋接方法，其特征在于所述制備步驟（A）和（E）中的第一層鈍化層和第二層鈍化層的薄膜材料是SiO₂、SiN、SiON中的一種，制備方法是等離子體增強化學氣相淀積（PECVD）、高密度等離子體化學氣相淀積（HP-PECVD）、低壓化學氣相沉積（LPCVD）和原子層沉積（ALD）中的一種，制備原材料包括SiH₄、N₂O、Si(OC₂H₅)?₄、O₂、O₃、SiH₂Cl₂、NH₃、N₂、Ar的一種以上。

3.如權利要求1所述的電極橋接方法，其特征在于第一層鈍化層的厚度為200nm-700nm，第二層鈍化層的厚度為500nm-1000nm。

4.如權利要求1所述的電極橋接方法，其特征在于所述制備步驟（B）中的液態絕緣材料，滿足以下特征：具有粘滯性，在非平坦表面旋涂后薄膜表面平整；固化前后的體積變化小于30%；固化后對LED芯片的發光波長的透過率高于70%。

5.如權利要求1所述的電極橋接方法，其特征在于所述制備步驟（C）具體包括：將已旋涂液態絕緣材料薄膜的芯片置于空氣、氧氣、惰性氣體或真空環境烘烤，烘烤溫度是室溫至1000℃，時間是1分鐘至3小時；烘烤一次或多次，每次烘烤的溫度和時間相同或不相同。

6.如權利要求1所述的電極橋接方法，其特征在于所述制備步驟（D）的干法刻蝕或濕法腐蝕過程中，絕緣材料薄膜的厚度均勻地減小。

7.如權利要求1~6任一項所述的電極橋接方法，其特征在于所述制備步驟（G）中所沉積的金屬材料是Cr、Pt、Ni、Ti、Al、Au、Ag中的一種以上，制備方法是電子束蒸發沉積、磁控濺射、化鍍、電鍍中的一種以上。