[發明專利]一種硅碳復合物及其制備方法

在審

• 申請號: 201310129537.3
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN104103819A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 林朝暉;孫東
• 申請（專利權）人: 福建省輝銳材料科技有限公司
• 主分類號: H01M4/38
• 分類號: H01M4/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅碳復合物，其特征在于，包括表面經過去氧化處理的硅及導電碳基緩沖劑，所述硅分散在碳基緩沖劑中。

2.如權利要求1所述的硅碳復合物，其特征在于，所述表面經過去氧化處理的硅的表面為非氧化合物。

3.如權利要求2所述的硅碳復合物，其特征在于，所述表面經過去氧化處理的硅表面含氧量少于0.5%。

4.如權利要求2所述的硅碳復合物，其特征在于，所述表面經過去氧化處理的硅的表面層為氫化物。

5.如權利要求2所述的硅碳復合物，其特征在于，所述表面經過去氧化處理的硅的表面層為碳化物或鹵化物。

6.如權利要求1所述的硅碳復合物，其特征在于，所述硅為顆粒狀粉末和鱗片狀粉末中的至少一種。

7.如權利要求1所述的硅碳復合物，其特征在于，所述硅為單晶結構、多晶結構和非晶結構中的一種或多種。

8.如權利要求1所述的硅碳復合物，其特征在于，所述導電碳基緩沖劑為天然石墨、人造石墨、無定型碳黑、碳納米管、碳纖維和石墨烯中的至少一種。

9.一種鋰電池負極活性材料，其特征在于，所述負極活性材料使用如權利要求1所述的硅碳復合物通過包覆燒結制成。

10.一種制備硅碳復合物的方法，其特征在于，所述方法包括：去除硅表面本征氧化層；將經過去氧化處理的硅與導電碳基緩沖劑混合形成硅碳復合物。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述去除硅表面本征氧化層為濕法刻蝕鈍化法，包括：用氫氟酸溶液腐蝕去除硅顆粒表面的本征氧化層，不飽和配位的硅和氫離子反應生成硅氫鍵，形成表面氫化物層。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：所述硅氫鍵與不飽和有機物反應生成硅碳鍵形成碳化物層。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：所述硅氫鍵與鹵素或鹵化物反應形成鹵化層。

14.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述去除硅表面本征氧化層為干法還原鈍化法，包括：通過帶氫離子的還原性氣體在高溫條件下將硅表面的本征氧化層還原為硅，同時形成硅氫鍵，形成表面氫化物層。