[發明專利]一種金絲互連結構的建模和參數提取方法

有效

• 申請號: 201310129275.0
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN103198194A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 殷曉星;王磊;趙洪新
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50;H01L21/768
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 楊曉玲

1.一種金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：包括金絲模型、微帶線缺口電路模型、兩個短傳輸線模型，所述金絲模型上設置有金絲鍵合點，所述微帶線缺口電路模型上設置有微帶線缺口，所述短傳輸線模型作為金絲鍵合點和微帶線缺口之間的傳輸線；所述兩個短傳輸線模型分別記為左短傳輸線模型和右短傳輸線模型，左短傳輸線模型、微帶線缺口電路模型和右短傳輸線模型順序串聯后，與金絲模型并聯連接；所述短傳輸線模型的參數為金絲鍵合點到微帶線缺口的距離c的函數。

2.根據權利要求1所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述金絲模型中金絲的數量為單根、兩根或三根以上，所述金絲的等效電路為相串聯的電阻R和電感L結構；若金絲模型中包括兩根或三根以上金絲，則所有金絲并聯且每任意兩根金絲之間存在互感M。

3.根據權利要求2所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述電阻R和電感L根據金絲的阻抗和自感的物理性質提取參數。

4.根據權利要求2所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述互感M根據互感的物理性質提取參數。

5.根據權利要求1所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述微帶線缺口電路模型的等效電路包括電容C₀、電容C₁和電容C₂，所述電容C₁和電容C₂相并聯、一端分別接在電容C₀的兩側、另一端接公共基線，所述電容C₀的兩端分別連接兩個短傳輸線模型。

6.根據權利要求5所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述電容C₀、電容C₁和電容C₂根據奇偶模分析法提取參數。

7.根據權利要求1所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述短傳輸線模型的等效電路包括電感L_c、電容C₃和電容C₄，所述電容C₃和電容C₄相聯、一端分別接在電感L_c的兩側、另一端接公共基線，所述電感L_c的兩端分別連接金絲模型和微帶線缺口電路模型。

8.根據權利要求7所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述電感L_c、電容C₃和電容C₄根據均勻傳輸線理論提取參數。

9.根據權利要求1所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述短傳輸線模型的等效電路包括電感L_c1、電感L_c2和電容C₅，所述電感L_c1和電感L_c2的一端串聯相接，電感L_c1和電感L_c2的另一端分別連接金絲模型和微帶線缺口電路模型，所述電容C₅一端接在電感L_c1和電感L_c2之間、另一端接公共基線。

10.根據權利要求9所述的金絲互連結構的建模和參數提取方法，其特征在于：所述電感L_c1、電感L_c2和電容C₅根據均勻傳輸線理論提取參數。