[發(fā)明專利]用于蒸鍍防污膜的蒸鍍材料的吸附載體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310128539.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103205716A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小島岳;秦燕詒;小林一博;唐健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 光馳科技(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/24 | 分類號(hào): | C23C14/24;C23C14/12;B22F3/16 |
| 代理公司: | 上海申蒙商標(biāo)專利代理有限公司 31214 | 代理人: | 徐小蓉 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 防污 材料 吸附 載體 | ||
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技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及真空鍍膜領(lǐng)域,具體涉及一種用于蒸鍍防污膜的蒸鍍材料的吸附載體。
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背景技術(shù)
真空鍍膜法是一類重要的制膜方法,它在微電子、電子材料與元器件等電子工業(yè),鐘表工業(yè),照相機(jī)等光學(xué)工業(yè),窗玻璃等建筑工業(yè)中已經(jīng)成為一項(xiàng)不可缺少的重要技術(shù)。此外,在以電子信息產(chǎn)業(yè)為代表的高新技術(shù)中,真空鍍膜技術(shù)也起著舉足輕重的作用。真空鍍膜法中,具有代表性的有真空蒸鍍法、離子鍍法、濺射鍍膜法和化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition,CVD)法等。其中真空蒸鍍法是制作薄膜的最一般的方法。這種方法是把裝有基板的處理室抽成真空,使氣體壓強(qiáng)達(dá)到10-2Pa以下,然后加熱蒸鍍材料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入射到基板表面,而后凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。所以真空蒸鍍法需要盛放蒸鍍材料的坩堝、加熱坩堝的熱源和附著被蒸發(fā)的蒸鍍材料的基板。在早期鍍膜過程中,蒸鍍材料一般為固體,可以直接放在坩堝內(nèi)。近年來,隨著新型鍍膜原料的大量涌現(xiàn),蒸鍍的形式也有所變化。如在光學(xué)元器件上蒸鍍防污(Anti-Smudge,?AS)膜時(shí),通常選用有機(jī)氟化合物及硅酮樹脂等有機(jī)化合物作為鍍膜原料,蒸鍍時(shí)需先將鍍膜原料在溶劑中溶解形成以有機(jī)溶液狀態(tài)存在的蒸鍍材料,在坩堝內(nèi)預(yù)置吸附載體作為該蒸鍍材料的載體。蒸鍍時(shí),鍍膜原料受熱氣化后從吸附載體中逸出,入射到基板表面完成鍍膜。
目前蒸鍍材料的吸附載體的類型主要有兩種:1、使用多孔燒結(jié)陶瓷或陶瓷材料作為吸附載體。2、將鋼絲棉壓入坩堝并將其作為吸附載體。上述兩種吸附載體都具有各自不同的缺點(diǎn)。多孔性陶瓷燒結(jié)體所含雜質(zhì)較多,而這些雜質(zhì)正是使蒸鍍材料的特性劣化的主要原因,因而對(duì)防污膜的耐摩擦性和均勻性都是不利的;采用將鋼絲棉壓入坩堝制成的吸附載體時(shí),其鋼絲棉的體積限制了有機(jī)物質(zhì)的吸收量。并且由于鋼絲棉的剛性特性,使其孔隙率管理困難。鋼絲棉容易發(fā)生破碎,從而造成防污膜出現(xiàn)斑點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,提供一種用于蒸鍍防污膜的蒸鍍材料的吸附載體,該吸附載體采用多孔質(zhì)的金屬粉末燒結(jié)體,提升了吸附承載效果,避免了現(xiàn)有技術(shù)的不足。
本發(fā)明目的實(shí)現(xiàn)由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種用于蒸鍍防污膜的蒸鍍材料的吸附載體,其特征在于:所述吸附載體是金屬粉末的燒結(jié)體,所述的金屬粉末為選自鐵、不銹鋼、銅、鋁中的一種或至少兩種的金屬混合物。
所述金屬粉末的粒徑為1μm—100μm。
所述金屬粉末的優(yōu)選粒徑為1μm—10μm。
所述金屬混合物為鐵粉和銅粉的混合物。其中銅粉占混合物重量百分比的25%—35%,其余為鐵粉。所述銅粉的粒徑不大于所述鐵粉的粒徑。
所述燒結(jié)體的孔隙率為40%—70%。
所述燒結(jié)體的熱傳導(dǎo)率為1W/m.K—200W/m.K。
所述的燒結(jié)體為圓餅狀。
一種吸附載體的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述方法是將作為原料的金屬粉末以0ton/cm2-—15ton/cm2的壓力夯實(shí),再經(jīng)過0.5h-—5h的燒結(jié)后的燒結(jié)體,該燒結(jié)體為多孔質(zhì)體,即為所述吸附載體。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:
1、本發(fā)明提供的吸附載體本身不含雜質(zhì);熔點(diǎn)在400℃以上,能保證在高真空高溫條件下鍍膜過程中不會(huì)熔化產(chǎn)生雜質(zhì)、并且不與吸附承載的蒸鍍材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng);
2、使用本發(fā)明提供的吸附載體,由于不同的金屬或者金屬混合物的原料具有不同的熱傳導(dǎo)率,所以熱傳導(dǎo)率可以選擇,根據(jù)鍍膜設(shè)備的不同要求選擇熱傳導(dǎo)率適當(dāng)?shù)奈捷d體,可以控制被吸附承載的鍍膜材料的蒸發(fā)速度,因而能保證鍍膜的均勻性;
3、使用本發(fā)明提供的吸附載體進(jìn)行真空蒸鍍所得到的防污膜,耐摩擦性能大幅度提高,遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)中的吸附載體蒸鍍出來的防污膜。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的吸附載體的外形示意圖;
圖2是承裝本發(fā)明吸附載體的坩堝示意圖;
圖3是真空蒸鍍防污膜的裝置示意圖;
圖4是以鐵和銅的混合物為原料制作的吸附載體在顯微鏡下的斷面照片。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合實(shí)施例和附圖,對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明:
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- 專利分類
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





