[發(fā)明專利]一種制備摻氮二氧化鈦多孔膜的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310127166.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103194731A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 覃勇;陳朝秋;王桂振;段菲菲;陳彩營(yíng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C16/40 | 分類號(hào): | C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 劉寶賢 |
| 地址: | 030001 *** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 摻氮二 氧化 多孔 方法 | ||
1.?一種制備摻氮二氧化鈦多孔膜的方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)將基底材料放入原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔,使用惰性氣體氮?dú)獯祾?-10?min,然后進(jìn)行沉積;
設(shè)定的MLD?沉積參數(shù)為:
反應(yīng)溫度80-400?oC;
反應(yīng)源:采用TiCl4或Ti(OCH(CH3)2)4為鈦源,乙醇胺和丙二酰氯為有機(jī)前體,Ti(OCH(CH3)2)4源溫為60?oC,乙醇胺源溫為80?oC,TiCl4和丙二酰氯源溫都為室溫;
載氣:10-100?sccm的高純氮?dú)猓?/p>
脈沖、憋氣和吹掃時(shí)間:首先將TiCl4或Ti(OCH(CH3)2)4蒸汽脈沖送入沉積室,脈沖時(shí)間為0.01-0.5?s,憋氣時(shí)間為5-10?s,吹掃時(shí)間為10-120?s;然后將乙醇胺蒸汽脈沖送入沉積室,脈沖時(shí)間為0.1-1?s,憋氣時(shí)間為5-10?s,吹掃時(shí)間為60-150?s;接著將丙二酰氯蒸汽脈沖送入沉積室,脈沖時(shí)間為0.1-1?s,憋氣時(shí)間為5-10?s,吹掃時(shí)間為60-150?s;最后再次將乙醇胺蒸汽脈沖送入沉積室,脈沖時(shí)間為0.1-1?s,憋氣時(shí)間為5-10?s,吹掃時(shí)間為60-150?s,此即完成一次沉積循環(huán),重復(fù)此沉積循環(huán)即在基底材料表面得到不同厚度的含鈦有機(jī)-無機(jī)復(fù)合膜;
(2)將步驟(1)得到的表面沉積了含鈦有機(jī)-無機(jī)復(fù)合膜的基底材料在空氣,氧氣或惰性氣氛中在350-800?oC高溫處理1-2?h,除去含鈦有機(jī)-無機(jī)復(fù)合膜中有機(jī)組分,得到在基底材料表面沉積有摻氮二氧化鈦多孔膜的復(fù)合材料。
2.如權(quán)利要求1所述的一種制備摻氮二氧化鈦多孔膜的方法,其特征在于將步驟(2)得到的復(fù)合材料進(jìn)行處理,除去基底材料,得到摻氮二氧化鈦多孔材料。
3.如權(quán)利要求2所述的一種制備摻氮二氧化鈦多孔膜的方法,其特征在于復(fù)合材料進(jìn)行處理采用剝離、焙燒、酸洗或堿洗。
4.如權(quán)利要求1所述的一種制備摻氮二氧化鈦多孔膜的方法,其特征在于所述的基底材料是表面有羥基或缺陷位的材料。
5.如權(quán)利要求4所述的一種制備摻氮二氧化鈦多孔膜的方法,其特征在于所述表面有羥基或缺陷位的材料是硅片、多孔氧化鋁膜、氧化銅納米線或碳納米螺旋。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





