[發明專利]一種提高薄膜電致發光器件穩定性的方法

無效

• 申請號: 201310126101.9
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN103333355A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 王洪哲;陶景;申懷彬;李林松
• 申請（專利權）人: 河南大學
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;H01L51/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種利用簡單酸鈍化處理量子點薄膜電致發光器件中的聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)有機聚合膜來提高薄膜電致發光器件穩定性的方法，其特點在于包括以下步驟：

????首先向涂覆于ITO玻璃上的PEDOT:PSS膜（經160?℃真空干燥處理）上滴加一定濃度的無機酸，然后立即以3000?rpm的轉速旋涂1分鐘，接著在160?℃的真空干燥箱中干燥5~10分鐘；此后仍然采用懸涂的方式用去離子水對膜進行三次潤洗，每次潤洗滴加的去離子水的量約可鋪滿整個膜的三分之二即可，最后在烘箱中再干燥5~10分鐘；得到酸處理的PEDOT:PSS膜后，再在上面懸涂聚三苯胺（Poly-TPD）、發光量子點（QDs），最后真空蒸鍍一層Al就得到了具有一定空氣穩定性的量子點發光二極管（QD-LED）或在量子點與Al電極之間旋涂一層氧化鋅（ZnO），得到以ZnO為電子傳輸層的QD-LED器件。

2.根據權利要求1所述的提高薄膜電致發光器件穩定性的方法，其特點在于用于處理?PEDOT:PSS膜的無機酸包括硫酸、鹽酸、硝酸等。

3.根據權利要求1所述的提高薄膜電致發光器件穩定性的方法，其特點在于發光層的材料包括II-VI族、III-V族及I-III-VI₂族等半導體納米晶或核-殼結構半導體納米晶。

4.根據權利要求1所述的提高薄膜電致發光器件穩定性的方法，其特點在于電荷傳輸材料可以是有機材料，包括Poly-TPD，TFB，PVK等，也可以是無機納米材料，包括ZnO，TiO₂，MoO₃等。

5.根據權利要求1所述的提高薄膜電致發光器件穩定性的方法，其特點在于適用于旋涂、印刷、熱轉運、真空蒸鍍等多種膜層制備方式制得的薄膜電致發光器件。

6.根據權利要求1所述的提高薄膜電致發光器件穩定性的方法，其特點在于制備得到的薄膜發光器件在無封裝情況下，經空氣中放置18天后發光效率仍能維持原有效率的75%以上。