[發(fā)明專利]一種異質結電池的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310125902.3 | 申請日： | 2013-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN103227246A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 牛新偉;郁操;丁瀾;戎俊梅;劉石勇;王明華;胡金艷;韓瑋智;朱永敏;張華;馮濤;金建波;仇展煒;楊立友 | 申請（專利權）人： | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/20 | 分類號： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 馮譜 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 異質結 電池 制備 方法 | ||
1.一種異質結電池的制備方法，其中，包括如下步驟：
a）在n型硅片的正面沉積第一非晶硅本征層；
b）在所述第一非晶硅本征層上沉積非晶硅p層；
c）在所述非晶硅p層上沉積第一摻硼氧化鋅薄膜；
d）在所述n型硅片的背面形成背電極和鋁背場；
e）在所述n型硅片的正面形成正電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其中，所述第一非晶硅本征層的厚度范圍為5nm～30nm。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其中，所述非晶硅p層的厚度范圍為5nm～30nm。
4.根據權利要求1～3中任意一項所述的制備方法，其中，所述摻硼氧化鋅薄膜的厚度范圍為500nm～1000nm。
5.一種雙面異質結電池的制備方法，其中，包括如下步驟：
a）在n型硅片的正面沉積第一非晶硅本征層；
b）在所述第一非晶硅本征層上沉積非晶硅p層；
c）在所述n型硅片的背面沉積第二非晶硅本征層；
d）在所述第二非晶硅本征層背面沉積非晶硅n層；
e）在所述非晶硅p層上沉積第一摻硼氧化鋅薄膜，在所述非晶硅n層上沉積第二摻硼氧化鋅薄膜；
f）在所述n型硅片的背面形成背電極；
g）在所述n型硅片的正面形成正電極。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其中，所述第一非晶硅本征層的厚度范圍為5nm～30nm。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其中，所述非晶硅p層的厚度范圍為5nm～30nm。
8.根據權利要求5所述的制備方法，其中，所述第二非晶硅本征層的厚度范圍為5nm～30nm。
9.根據權利要求5所述的制備方法，其中，所述非晶硅n層的厚度范圍為5nm～30nm。
10.根據權利要求5～9中任意一項所述的制備方法，其中，所述摻硼氧化鋅薄膜的厚度范圍為500nm～1000nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
