[發明專利]一種電場增強型肖特基結太陽能電池結構

有效

• 申請號: 201310125613.3
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN103199131A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 于濂清;董開拓;智倩倩;韓雪
• 申請（專利權）人: 中國石油大學（華東）
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/042
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電場增強型肖特基結太陽能電池結構包括電極板（1），絕緣層（2），背面電極（3），n型半導體（4），透明導電薄膜（5），金電極薄膜（6），導電玻璃（7）。

2.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的結構為層疊結構，依次為電極板（1）、絕緣層（2）、背面電極（3）、n型半導體（4）、透明導電薄膜（5）。

3.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的電極板（1）為金屬薄膜電極，接外加電壓的正極，電極材料為金、鈦、鎳、鉻、鋁、鐵中一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的絕緣層（2）為普通玻璃、石英玻璃、二氧化硅、電纜紙、浸漬劑、聚氯乙烯、聚乙烯、Si₃N₄、Al₂O₃中一種或幾種。

5.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的背面電極（3）為Ti/Pd/Ag電極，用于接負載，背面電極和n型半導體（4）形成歐姆接觸。

6.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的n型半導體（4）的功函數小于透明導電薄膜（5）的功函數。

7.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的透明導電薄膜（5）為金屬薄膜、石墨稀薄膜、導電高分子薄膜、氧化銦錫薄膜、鋁摻雜的氧化鋅、氟摻雜的氧化錫中一種或幾種。

8.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的透明導電薄膜（5）的邊緣鍍有用于接負載的金電極薄膜（6）。

9.根據權利要求1所述的電場增強型肖特基結太陽能電池結構，其特征在于所述的導電玻璃（7）的絕緣面搭在金電極薄膜（6）之上，導電玻璃的導電面接外加電壓的負極。