[發(fā)明專利]納米平板印刷方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310125512.6
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN103376646A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·霍爾澤;A·W·諾爾
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅;張寧

1.一種納米平板印刷方法，包括：?

提供(S10)：?

模具(100)，在所述模具的一側(cè)(101)上包括具有納米級尺度的結(jié)構(gòu)(130)，所述結(jié)構(gòu)形成形貌圖案(140)；以及?

襯底(220)上的、與所述模具的所述一側(cè)相對的可熱分解聚合物膜(210)，?

其中所述結(jié)構(gòu)被加熱至所述聚合物膜的分解溫度(T_d)以上；?

使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)以熱分解(S30)其與所述結(jié)構(gòu)對應(yīng)的部分；并且?

從所述聚合物膜去除(S50)所述結(jié)構(gòu)。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米平板印刷方法，其中，在使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)之前，將所述襯底進一步維持在所述聚合物膜的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(T_g)以下的溫度，并且其中優(yōu)選地，使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸包括使所述結(jié)構(gòu)朝著所述襯底(220)迫近(S40)以實現(xiàn)與之熱接觸并且冷卻所述結(jié)構(gòu)。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的納米平板印刷方法，其中執(zhí)行使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)以解鏈和/或解吸(S30)其分子，并且其中優(yōu)選地，提供的所述聚合物膜使得可以執(zhí)行使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)以根據(jù)吸熱分解來熱分解其部分。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜包括經(jīng)由分子間非實質(zhì)上共價鍵交聯(lián)的分子網(wǎng)絡(luò)，并且其中執(zhí)行使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)以解吸(S30)其分子。?

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜中的分子的平均分子質(zhì)量在100Da與2000Da之間，優(yōu)選地在從150Da至1000Da的范圍中，并且其中更優(yōu)選地經(jīng)由氫鍵交?聯(lián)所述分子。?

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜包括具有能夠在熱刺激時解鏈的聚合物鏈的聚合物材料，并且其中執(zhí)行使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)以解鏈(S30)所述聚合物材料的聚合物鏈。?

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米平板印刷方法，其中提供的所述聚合物膜包括聚鄰苯，并且其中優(yōu)選地，所述聚合物膜具有125℃±20℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度和150℃±30℃的熱分解溫度。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一權(quán)利要求所述的納米平板印刷方法，其中所述模具包括主體(110)和材料層(120)，所述主體(110)優(yōu)選地包括晶體硅，所述材料層(120)優(yōu)選地包括氧化硅，所述材料層(120)在所述主體與所述結(jié)構(gòu)之間并且具有比所述主體的導(dǎo)熱率明顯更低的、優(yōu)選地低至少十倍并且更優(yōu)選地低至少五十倍的導(dǎo)熱率。?

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米平板印刷方法，所述材料層(120)和所述主體(110)的相應(yīng)線性熱膨脹系數(shù)相差少于5倍。?

10.根據(jù)權(quán)利要求8或者9所述的納米平板印刷方法，其中所述材料層(120)具有在1與30微米之間的、優(yōu)選為6±4微米的厚度。?

11.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一權(quán)利要求所述的納米平板印刷方法，其中提供的所述模具的所述結(jié)構(gòu)(130)中的一個或者多個結(jié)構(gòu)在與所述聚合物膜垂直的方向上具有如下高度，該高度比所述聚合物膜的平均厚度更大、優(yōu)選地比所述聚合物膜的平均厚度的三倍更大。?

12.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一權(quán)利要求所述的納米平板印刷方法，其中將所述襯底的溫度維持在所述聚合物膜的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(T_g)以下，并且其中在使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)之前，在所述聚合物膜的分解產(chǎn)物易揮發(fā)的溫度加熱所述結(jié)構(gòu)，并且其中使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)包括使所述結(jié)構(gòu)向所?述襯底上迫近(S40)以實現(xiàn)與之熱接觸并且冷卻所述襯底。?

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的納米平板印刷方法，其中在所述襯底(220)與所述加熱的結(jié)構(gòu)(130)之間的溫度差在使所述結(jié)構(gòu)與所述聚合物膜接觸(S20)之前至少為100℃，優(yōu)選地至少為200℃。?