[發明專利]諧振器及其制造方法在審
| 申請號: | 201310124937.5 | 申請日: | 2013-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN103296993A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 龐慰;張孟倫;張浩 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H03H9/25 | 分類號: | H03H9/25;H03H3/007 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 諧振器 及其 制造 方法 | ||
1.一種諧振器的制造方法,其特征在于,包括:
在壓電層上方形成對準結構,其中,所述對準結構包括需要進行對準的多個層、以及用于將所述多個層進行對準的對準層;
利用所述對準層將所述多個層中部分或全部層的邊緣部分去除,使經去除后所述多個層的邊緣彼此對準。
2.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述對準層為掩模層,所述對準層形成于需要對準的所述多個層上。
3.根據權利要求2所述的制造方法,其特征在于,利用所述對準層將所述多個層中部分或全部層的邊緣部分去除包括:
對所述多個層進行蝕刻,將所述掩模層未覆蓋的所述多個層中部分或全部層的邊緣部分去除,其中,在進行蝕刻之前,所述多個層中的至少部分層延伸至所述掩模層之外。
4.根據權利要求3所述的制造方法,其特征在于,在進行蝕刻時,對于延伸至所述掩模層之外的多個層,通過一個或多個蝕刻步驟將該多個層延伸至所述掩模層之外的部分去除。
5.根據權利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述對準結構中需要對準的多個層包括上電極、以及質量負載/周邊質量負載,所述質量負載/周邊質量負載整體或部分位于所述上電極上方或下方。
6.根據權利要求5所述的制造方法,其特征在于,進一步包括:
預先在并排設置的第一下電極和第二下電極上方形成所述壓電層;
并且,在壓電層上方形成對準結構包括:
在所述壓電層上方對應所述第二下電極的位置處形成所述質量負載/周邊質量負載和上電極層,所述上電極層位于所述質量負載/周邊質量負載的上方或下方;
在所述上電極層和所述質量負載/周邊質量負載上方對應于所述第一下電極和所述第二下電極的位置處分別形成掩模層;
并且,利用所述掩模層將所述多個層中部分或全部層的邊緣部分去除包括:
將所述上電極層和所述質量負載/周邊質量負載未被所述掩模層覆蓋的部分蝕刻去除。
7.根據權利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述質量負載/周邊質量負載的形狀包括:多邊形、圓形、橢圓形。
8.根據權利要求1-6中任一項所述的制造方法,其特征在于,進一步包括:
在將所述多個層中的部分層未被所述掩模層覆蓋的部分去除之后,將所述掩模層去除;或者
在多個層中所有未被所述掩模層覆蓋的部分被去除之后,將所述掩模層去除。
9.根據權利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述對準結構中需要對準的多個層包括上電極層和鈍化層,所述鈍化層整體或部分位于所述上電極層的上方。
10.根據權利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述掩模層為光刻膠層。
11.根據權利要求1-7、9-10中任一項所述的制造方法,其特征在于,需要對準的所述多個層的至少一部分延伸至所述對準層之外的距離為0.1μm至10000μm。
12.根據權利要求1-7、9-10中任一項所述的制造方法,其特征在于,需要對準的所述多個層的至少一部分延伸至所述對準層之外的距離為1μm至100μm。
13.根據權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述對準層為犧牲層,并且形成于需要對準的所述多個層需要去除的部分下方。
14.根據權利要求13所述的制造方法,其特征在于,利用所述對準層將所述多個層中部分或全部層的邊緣部分去除包括:
通過將所述對準結構中的犧牲層去除,將需要對準的多個層位于所述犧牲層上方的部分去除,其中,在進行去除之前,所述多個層中的至少一部分延伸至所述犧牲層上方。
15.一種諧振器的制造方法,其特征在于,包括:
形成對準結構,其中,所述對準結構包括需要進行對準的多個層、以及用于將所述多個層進行對準的對準層;
利用所述對準層將所述多個層中部分或全部層的邊緣部分去除,使經去除后所述多個層的邊緣彼此對準;
在邊緣彼此對準的所述多個層上方形成壓電層。
16.根據權利要求15所述的制造方法,其特征在于,所述對準層為掩模層,所述對準層形成于需要對準的所述多個層上。
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