[發明專利]功率模塊有效
| 申請號： | 201310124301.0 | 申請日： | 2013-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN103633077A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 白石卓也;田中智典 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H02M7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 模塊 | ||
【權利要求書】：
1.?一種功率模塊，其中包括：
IGBT；
MOSFET，與所述IGBT并聯連接；
引線框，具有搭載有所述IGBT的第一框部和搭載有所述MOSFET的第二框部，并且形成有所述第一框部位于第一高度、所述第二框部位于比所述第一高度高的第二高度的階梯差；以及
散熱體的絕緣片，在所述引線框中僅配置于所述第一框部背面。
2.?根據權利要求1所述的功率模塊，其中還包括：
驅動電路，驅動所述IGBT和所述MOSFET，
所述驅動電路以按所述IGBT、所述MOSFET的順序接通，并且按所述MOSFET、所述IGBT的順序關斷的方式驅動所述IGBT和所述MOSFET。
3.?根據權利要求1所述的功率模塊，其中，所述MOSFET的導通閾電壓比所述IGBT的導通閾電壓高。
4.?根據權利要求1～3中任一項所述的功率模塊，其中，所述MOSFET為SiC-MOSFET。
5.?根據權利要求2所述的功率模塊，其中還包括：
其他引線框，具有搭載有所述驅動電路的第三框部，
所述第三框部形成于比所述第一高度高的第三高度，并且，在所述第一、第二框部之中，所述第三框部鄰接于所述第二框部。
6.?根據權利要求1所述的功率模塊，其中還包括：
模塑樹脂，密封所述IGBT、所述MOSFET和所述引線框的內引線，
在所述引線框中，在所述第一、第二框部和外引線之間形成有區別于所述階梯差的階梯差。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310124301.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種偏心爐膽式生物質鍋爐
- 下一篇：鋁散熱器芯子加強支架
- 同類專利
- 專利分類
