[發(fā)明專利]具有歐姆接觸電極的半絕緣GaAs光電導(dǎo)天線無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310123791.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-04-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103236591A | 公開（公告）日： | 2013-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 侯磊;董陳崗;楊匯鑫;施衛(wèi);陳素果;閆志巾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安理工大學(xué);東莞市五峰科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01Q23/00 | 分類號(hào)： | H01Q23/00;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人： | 羅笛 |
| 地址： | 710048*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 歐姆 接觸 電極 絕緣 gaas 電導(dǎo) 天線 | ||
1.具有歐姆接觸電極的半絕緣GaAs光電導(dǎo)天線，其特征在于：包括半絕緣砷化鎵基片，半絕緣砷化鎵基片上為正、負(fù)兩個(gè)AuGeNi合金電極，半絕緣砷化鎵基片可視為阻值較大的電阻RGaAs，兩個(gè)AuGeNi合金電極可視為兩個(gè)阻值較小的電阻ROhm，電阻RGaAs與兩個(gè)電阻ROhm串聯(lián)，ROhm＜＜RGaAs，電阻RGaAs的阻值為從幾兆歐到幾百兆歐，ROhm的阻值小于1歐姆。
2.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆接觸電極的半絕緣GaAs光電導(dǎo)天線，其特征在于：所述正、負(fù)兩個(gè)AuGeNi合金電極之間的間隙為5μm-200μm。
3.如權(quán)利要求1所述的具有歐姆接觸電極的半絕緣GaAs光電導(dǎo)天線，其特征在于：所述半絕緣砷化鎵基片是利用液拉直封法制備的（100）晶向的SI-GaAs，其電阻率高于107Ω·cm；AuGeNi合金電極是通過電子束蒸發(fā)或磁控濺射在半絕緣砷化鎵基片上分別沉積20-100nm的Ni，50-500nm的Au，20-100nm的Ge和50-100nm的Au，再在300℃-400℃的溫度范圍內(nèi)快速退火使其合金化。
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