[發明專利]帶有鍍銅層的軋制銅箔無效
| 申請號: | 201310123698.1 | 申請日: | 2013-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN103813623A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 室賀岳海;后藤千鶴;關聰至 | 申請(專利權)人: | 株式會社SH銅業 |
| 主分類號: | H05K1/09 | 分類號: | H05K1/09;B32B15/20;C22F1/08;C21D8/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 帶有 鍍銅 軋制 銅箔 | ||
技術領域
本發明涉及帶有鍍銅層的軋制銅箔,特別涉及用于柔性印刷布線板的帶有鍍銅層的軋制銅箔。
背景技術
柔性印刷布線板(FPC:Flexible?Printed?Circuit)薄并且撓性優異,因此對電子設備等的安裝形態的自由度高。因此,FPC除了用于折疊式手機的折彎部,數碼相機、打印機頭等的可動部的布線之外,還經常用于硬盤驅動器(HDD:Hard?Disk?Drive)、數字多功能光盤(DVD:Digital?Versatile?Disk)、壓縮光盤(CD:Compact?Disk)等光盤關聯設備的可動部的布線等。因此,對于用作FPC、其布線材料的軋制銅箔,要求具有高彎曲特性、即耐受反復彎曲的優異的耐彎曲性。
FPC用的軋制銅箔經由熱軋、冷軋等工序而制造。軋制銅箔在其后的FPC制造工序中,介由粘接劑或者直接地與由聚酰亞胺等樹脂形成的FPC的基膜(base?film)(基材)通過加熱等進行貼合。對基材上的軋制銅箔實施蝕刻等表面加工而成為布線。通過再結晶而軟化了的退火后的狀態與軋制而硬化了的冷軋后的硬質狀態相比,軋制銅箔的耐彎曲性顯著提高。因此,例如在上述的FPC制造工序中,使用冷軋后的硬化了的軋制銅箔,一邊避免伸長、褶皺等變形一邊將軋制銅箔裁剪,并重疊于基材上。其后,通過也兼作使軋制銅箔與基材密合并且復合的工序而進行加熱,從而進行軋制銅箔的再結晶退火,謀求耐彎曲性的提高。
以上述的FPC制造工序為前提,至今對耐彎曲性優異的軋制銅箔、其制造方法進行了各種研究,較多地報告了在軋制銅箔的表面上,作為立方體方位的{002}面({200}面)越發達則耐彎曲性越提高。
例如在專利文獻1中,在再結晶粒的平均粒徑成為5μm~20μm的條件下進行最終冷軋之前的退火。另外,使最終冷軋時的軋制加工度為90%以上。由此,在調質成為再結晶組織的狀態下,將由軋制面的X射線衍射求出的{200}面的強度設為I,將由微粉末銅的X射線衍射求出的{200}面的強度設為I0時,獲得I/I0>20的立方體織構。
另外,例如在專利文獻2中,提高最終冷軋前的立方體織構的發達度,使最終冷軋時的加工度為93%以上。進一步通過實施再結晶退火,從而獲得{200}面的積分強度為I/I0≥40的立方體織構顯著發達的軋制銅箔。
另外,例如在專利文獻3中,使最終冷軋工序中的總加工度為94%以上,且將每1道次(pass)的加工度控制為15%~50%。由此,在再結晶退火之后,可獲得規定的晶粒取向狀態。即,通過X射線衍射極圖測定而獲得的軋制面的{111}面相對于{200}面的面內取向度Δβ為10°以下。另外,軋制面中作為立方體織構的{200}面經標準化得到的衍射峰強度[a]與{200}面的處于雙晶關系的結晶區域經標準化得到的衍射峰強度[b]之比成為[a]/[b]≥3。
這樣,在現有技術中,通過提高最終冷軋工序的總加工度,從而在再結晶退火工序之后使軋制銅箔的立方體織構發達而謀求了耐彎曲性的提高。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第3009383號公報
專利文獻2:日本專利第3856616號公報
專利文獻3:日本專利第4285526號公報
發明內容
發明要解決的問題
于是,在FPC用途的軋制銅箔中存在有如下情況:為了提高與基材的貼合強度,例如在軋制銅箔的單面或者兩面形成了鍍銅層的基礎上,附著粗化粒。
但是,在形成了鍍銅層的帶有鍍銅層的軋制銅箔中,即使是例如使用上述的專利文獻1~3的技術而提高了耐彎曲性的軋制銅箔,也有時會因反復的彎曲而發生可見的疲勞斷裂。即,在帶有鍍銅層的軋制銅箔中有時可發現耐彎曲性的惡化。
本發明的目的在于提供能夠在再結晶退火工序后具備優異的耐彎曲性的帶有鍍銅層的軋制銅箔。
用于解決問題的方法
根據本發明的第1實施方式,提供一種帶有鍍銅層的軋制銅箔,其具備包含無氧銅或者以無氧銅為母相的低濃度銅合金的軋制銅箔、和形成于前述軋制銅箔的主表面或者其背面中的至少一側的面上的鍍銅層,
在將前述軋制銅箔調質成為再結晶的狀態下,
前述鍍銅層的晶粒的至少一部分與前述軋制銅箔經調質得到的晶粒進行了一體化。
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