[發明專利]用于蝕刻包含銅和鉬的多層膜的液體組合物以及使用其的蝕刻方法

有效

• 申請號: 201310123603.6
• 申請日: 2013-04-10
• 公開（公告）號: CN103361644B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 夕部邦夫;玉井聰
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種液體組合物，其為用于蝕刻包含銅和鉬的多層膜的液體組合物，其包含

(A)過硫酸根離子供給源、

(B)銅離子供給源、

(C)選自由氨、銨離子、胺和烷基銨離子組成的組中的至少一種氮化合物供給源、以及

(D)羧酸根離子供給源，

所述液體組合物的pH為3.5～9，

所述過硫酸根離子供給源(A)相對于所述銅離子供給源(B)的配混比以摩爾基準計為0.01～20，

所述羧酸根離子供給源(D)為選自由乙酸、丙酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸和這些羧酸的鹽、以及乙酸酐組成的組中的至少一種，

所述羧酸根離子供給源(D)相對于所述銅離子供給源(B)的配混比以摩爾基準計為0.1～50。

2.根據權利要求1所述的液體組合物，其中，所述過硫酸根離子供給源(A)為選自由過二硫酸銨、過二硫酸鉀、過二硫酸鈉和過一硫酸氫鉀組成的組中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的液體組合物，其中，所述銅離子供給源(B)為選自由銅、硫酸銅、硝酸銅和乙酸銅組成的組中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的液體組合物，其中，所述氮化合物供給源(C)為選自由氨、硫酸銨、硝酸銨、乙酸銨、過二硫酸銨和氫氧化四甲基銨組成的組中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的液體組合物，其中，所述氮化合物供給源(C)相對于所述銅離子供給源(B)的配混比以摩爾基準計為4～100。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的液體組合物，其還包含鉬酸根離子供給源(E)。

7.一種蝕刻方法，其為蝕刻包含銅和鉬的多層膜的方法，

其包括使所述多層膜與權利要求1～6中的任一項所述的液體組合物接觸的工序。

8.根據權利要求7所述的蝕刻方法，其中，所述多層膜為將由鉬或包含鉬作為主要成分的化合物形成的層、以及由銅或包含銅作為主要成分的化合物形成的層層疊而成的二層膜。

9.根據權利要求7所述的蝕刻方法，其中，所述多層膜為將由鉬或包含鉬作為主要成分的化合物形成的層、由銅或包含銅作為主要成分的化合物形成的層以及由鉬或包含鉬作為主要成分的化合物形成的層依次層疊而成的三層膜。

10.一種制造多層膜布線的方法，所述多層膜布線在基板上設置有至少包含含鉬層和含銅層的多層膜，

所述方法包括：

在基板上依次設置包含鉬的層和包含銅的層，從而形成多層膜；

在所述多層膜上覆蓋抗蝕劑，從而形成抗蝕劑膜；

通過將所述抗蝕劑膜曝光、顯影而形成規定抗蝕圖案，從而形成蝕刻對象物；

通過使所述蝕刻對象物與權利要求1～6中的任一項所述的液體組合物接觸，蝕刻所述多層膜來形成多層膜布線。