[發明專利]NVRAM控制方法及系統

有效

• 申請號: 201310123602.1
• 申請日: 2013-04-10
• 公開（公告）號: CN103257902B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 羅天德;吳大畏
• 申請（專利權）人: 深圳市硅格半導體有限公司
• 主分類號: G06F11/07
• 分類號: G06F11/07;G06F12/02;G06F3/06
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所44287
• 代理人: 胡海國

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種NVRAM控制方法及系統。

背景技術

?NVRAM是一種非易失性的隨機訪問存儲器，是新世代內存（閃存）技術，它包括鐵電介質存儲器(FRAM或FeRAM)、磁介質存儲器(MRAM)、奧弗辛斯基效應一致性存儲器(OUM)、聚合物存儲器(PFRAM)、PCRAM、Conductive?Bridge?RAM?(CBRAM）、?Organic?RAM?(ORAM）以及Nanotube?RAM?(NRAM）。新興的非易失性相變存儲內存NVRAM融合了DRAM內存的高速存取及FLASH閃存在關閉電源后保留數據的特性,?但其本身存在磨損錯誤和良率過低等問題，無法直接進行使用，需要一個健全的的控制系統對NVRAM進行控制才能有效使用，而現有的控制系統功能欠缺，無法實現該要求。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種NVRAM控制方法，旨在通過對NVRAM進行有效控制管理，彌補NVRAM本身存在的磨損錯誤及良率較低等問題，以提高NVRAM的實用性。

為了實現發明目的，本發明提出一種NVRAM控制方法，包括以下步驟：

初始化NVRAM內部數據，讀取NVRAM中可被修復的數據，并對讀取的可被修復的數據進行修復；

將修復后的數據存儲至NVRAM的有效地址中；

將有效地址的信息進行重組，并存儲。

優選地，在執行所述將有效地址的信息進行重組，并存儲的步驟之后還包括：

在對NVRAM進行數據寫入時，接收到外部傳輸的數據后獲取該數據的訪問標識并存儲；

將接收到的數據編碼后存入NVRAM的有效地址中。

優選地，在執行所述將有效地址的信息進行重組，并存儲的步驟之后還包括：

在讀取NVRAM內的數據時，接收訪問標識，根據訪問標識獲得該信息的有效地址信息；

根據有效地址信息讀取存儲在NVRAM的有效地址中的數據信息；

對讀取到的數據信息進行解碼，并輸出解碼后的數據信息。

優選地，所述在讀取NVRAM內的數據時，接收訪問標識，根據訪問標識獲得該信息的有效地址信息包括：

接收到訪問標識時，從存儲的地址信息中獲取與之對應的有效地址信息。?

本發明還提出一種NVRAM控制系統，其特征在于，包括：

控制模塊：初始化NVRAM內部數據，讀取NVRAM中可被修復的數據，并對讀取的可被修復的數據進行修復；

處理模塊：用于將修復后的數據存儲至NVRAM的有效地址中；

存儲模塊：將有效地址的信息進行重組，并存儲。

優選地，還包括：

接收模塊：用于在對NVRAM進行數據寫入時，接收到外部傳輸的數據后獲取該數據的訪問標識并存儲；

數據處理模塊：用于將接收到的數據編碼后存入NVRAM的有效地址中。

優選地，

所述接收模塊還用于：在讀取NVRAM內的數據時，接收訪問標識，根據訪問標識獲得該信息的有效地址信息；

所述控制模塊還用于：根據有效地址信息讀取存儲在NVRAM的有效地址中的數據信息；

所述數據處理模塊還用于：對讀取到的數據信息進行解碼，并輸出解碼后的數據信息。

優選地，所述接收模塊包括：

地址管理單元：用于接收到訪問標識時，從存儲的地址信息中獲取與之對應的有效地址信息。

本發明通過初始化NVRAM內部數據，讀取NVRAM中可被修復的數據，并對讀取的可被修復的數據進行修復，又將修復后的數據存儲至NVRAM的有效地址中，再將有效地址的信息進行重組，并存儲。本發明可實現對NVRAM的有效控制管理，彌補了NVRAM本身存在的磨損錯誤及良率較低等問題，有利于提高NVRAM的實用性。

附圖說明

圖1是本發明NVRAM控制方法一實施例的流程圖；

圖2是本發明NVRAM控制方法一實施例中寫入數據的流程圖；

圖3是本發明NVRAM控制系統一實施例中讀取數據的流程圖；

圖4是本發明NVRAM控制系統一實施例的結構示意圖；

圖5是本發明NVRAM控制系統一實施例中接收模塊的結構示意圖。

本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。

具體實施方式