[發明專利]具有改善的剝離和抗粘連性的有機硅剝離膜

在審

• 申請號: 201310123113.6
• 申請日: 2013-02-16
• 公開（公告）號: CN103242548A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 鄭光洙;冰廣殷;崔榮洙;玉炳胄;鄭鉉正
• 申請（專利權）人: 愛思開哈斯顯示用薄膜有限公司
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C08L83/04;C09J7/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

技術領域

本發明涉及一種有機硅剝離膜，其在光學粘合薄膜的制備過程中保護光學粘合薄膜的粘合層，光學粘合薄膜被用于如觸摸屏板(TSP)、LCD和PDP的顯示裝置。

背景技術

有機硅薄膜已經在工業上廣泛用作粘合劑或壓敏粘合劑產品或澆鑄產品的基底膜。特別是由于顯示器產品行業目前的增長，對在各種粘合薄膜中用作基底膜的有機硅薄膜的需求日益增加。

通常，用于顯示裝置(如TSP、LCD、PDP等)的光學粘合薄膜通常在不存在基底膜下使用。因此，采用有機硅剝離膜來保護光學粘合薄膜的粘合層，其中光學粘合薄膜的每側被兩種不同類型的、剝離力不同的有機硅剝離膜保護(參見圖1)。如果剝離力之間的差別不夠大，當具有較低剝離力的輕剝離有機硅薄膜從粘合層上剝離時，粘合層將會從具有較高剝離力的重剝離有機硅薄膜上部分層離。近年來，隨著光學粘合薄膜尺寸的增加和剝離膜剝離速度變快，對具有更小剝離力的有機硅剝離膜的需求持續增加。

為此，按照慣例，已經采用了由如二氧化硅等制備的無機非活性顆粒來使涂層表面變粗糙。然而，在這種情況下，盡管粘連問題得以減輕，仍存在許多缺點，例如產品霧度增加、在制備過程中非活性顆粒的分離以及對剝離薄膜的破壞。

KR專利申請公開號：2004-0111342(參考文獻1)公開了一種剝離膜，其含有表面適度粗糙化的聚酯基底薄膜和在薄膜表面上形成的有機硅剝離層。KR專利申請公開號2001-0033119(參考文獻2)公開了一種剝離膜，包括聚萘二甲酸乙二酯基底膜和在薄膜任一側或兩側的剝離層。然而，薄膜很難獲得光學應用所需的低剝離力。此外，如其霧度增加和非活性顆粒的分離等問題仍未解決。

因此，需要具有小剝離力而不增加其霧度的有機硅剝離膜。

發明內容

因此，本發明的一個目的是提供一種有機硅剝離膜，與傳統剝離膜相比，其在霧度輕微增加下，具有低的剝離力和改善的抗粘連性。

換言之，本發明提供一種與常規剝離膜相比能夠容易地從粘合層剝離下來的有機硅剝離膜。更具體地，本發明提供一種具有高再粘合性和低有機硅遷移性的有機硅剝離膜，其剝離力為5.0克力/英寸(gf/inch)以下，通過下面方法測得，所述方法包括：在剝離膜的有機硅粘合層上層壓標準粘合帶TESA7475，將層壓的剝離膜在室溫下老化30分鐘，并以180°的剝離角和12英寸/分鐘(inch/min)的剝離速度將標準粘合帶從有機硅剝離層上拉下。

本發明的另一目的為提供一種霧度低的有機硅剝離膜。

進一步地，本發明的另一目的為提供一種具有抗粘連性和好的加工性的有機硅剝離膜，同時具有在已層壓至粘合層后、在特定存儲條件/時期下存儲時穩定的剝離保持。

根據本發明的一個方面，提供一種包括聚酯基底膜和有機硅剝離層的剝離膜，其中有機硅剝離層厚度為0.5至5.0μm，并含有平均直徑2至10μm的非活性顆粒。

根據本發明的有機硅剝離層含有具有乙烯基或己烯基的聚二甲基硅氧烷。

另外，本發明的有機硅剝離層含有氫硅氧烷。氫硅氧烷的例子包括SYL-7028、SYL-OFF7048、SYL-OFF7599、SYL-OFF7678和SYL-OFF7689(道康寧有限公司(Dow?Corning?Co.))，但不限于此。

根據本發明的有機硅剝離層包括含有加成反應型有機硅樹脂的有機硅剝離層，有機硅樹脂包括在催化劑存在下反應的聚二甲基硅氧烷和氫硅氧烷。

本發明剝離膜的剝離力為5.0克力/英寸以下，其與常規剝離膜相比相對較低。剝離力是通過下面方法測得，所述方法包括：在剝離膜的有機硅粘合層上層壓標準粘合帶TESA7475，將層壓的剝離膜在室溫下老化30分鐘，并以180°的剝離角和12英寸/分鐘的剝離速度將標準粘合帶從有機硅剝離層上拉下。

根據本發明的有機硅剝離層在基底薄膜的任一側或兩側上形成。

進一步地，根據本發明的有機硅剝離膜包括：含有0.05至2重量％非活性顆粒的有機硅剝離層，以聚二甲基硅氧烷的固含量值計算。

非活性顆粒為一種或多種有機基顆粒和一種或多種無機基顆粒，有機基顆粒選自由交聯有機硅基顆粒、交聯聚乙烯基顆粒、交聯聚苯乙烯基顆粒和交聯丙烯酸基顆粒組成的組；且無機基顆粒選自由二氧化硅顆粒、碳酸鈣顆粒、氧化鈦顆粒和氧化鋁顆粒組成的組。

根據本發明的有機硅剝離膜含有霧度15％以下的基底膜。

進一步地，在形成含有非活性顆粒的有機硅剝離層時，相對于基底膜的霧度，有機硅剝離膜的霧度僅增加1％以下。

附圖說明