[發明專利]低成本表面層型半導體陶瓷電容器瓷料的制造方法

有效

• 申請號: 201310122423.6
• 申請日: 2013-04-10
• 公開（公告）號: CN103193479A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 陳玉林
• 申請（專利權）人: 寶雞秦龍電子科技有限公司
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/622
• 代理公司: 寶雞市新發明專利事務所 61106
• 代理人: 李鳳岐

1.一種低成本表面層型半導體陶瓷電容器瓷料的制造方法，其特征是：

第一步：摻雜BaTi?O₃燒塊的合成；

首先按BaCO₃?65-78?Wt%，工業級或電子一級TiO₂?20-30?Wt%，La系稀土2-5?Wt%配比原料；然后將配好的原料混合球磨3-4小時，砂磨細化4-5小時后煅燒合成摻雜BaTi?O₃燒塊，合成溫度及保溫時間為1240±5℃/2H，再將高溫合成的摻雜BaTi?O₃燒塊粉碎過篩，最后對粉碎過篩后的燒塊進行檢測；

第二步：Tc移動劑燒塊的合成；

首先按Nd₂O₃?55-61?Wt%，ZrO_2?27-33?Wt%?，SnO₂?8-14?Wt%，?MnCO₃?1-3?Wt%配比原料；然后將配好的原料混合球磨3-4小時后壓濾，將過濾后的原料煅燒合成Tc移動劑燒塊，合成溫度及保溫時間為1200±5℃/2H，再將高溫合成的Tc移動劑燒塊粉碎過篩，最后對粉碎過篩后的燒塊進行檢測；

第三步：瓷料制造；

首先按摻雜BaTi?O₃燒塊99-99.7Wt%，Tc移動劑燒塊0.3-1.0Wt%配比原料；然后將配好的原料混合球磨3-4小時，砂磨細化4-5小時后干燥、粉碎、過篩得到瓷料，最后對瓷料進行電性能檢測。

2.根據權利要求1所述的低成本表面層型半導體陶瓷電容器瓷料的制造方法，其特征是：所述La系稀土為Nd₂O₃或La₂O₃或CeO₂。

3.根據權利要求1或2所述的低成本表面層型半導體陶瓷電容器瓷料的制造方法，其特征是：所述混合球磨的料：球：水=1：2-2.5：0.8-1.25。