[發(fā)明專利]低成本表面層型半導(dǎo)體陶瓷電容器瓷料的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310122423.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-04-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103193479A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳玉林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寶雞秦龍電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C04B35/468 | 分類號(hào)： | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 寶雞市新發(fā)明專利事務(wù)所 61106 | 代理人： | 李鳳岐 |
| 地址： | 721000 陜*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 低成本 表面 半導(dǎo)體 陶瓷 電容器 制造 方法 | ||
1.一種低成本表面層型半導(dǎo)體陶瓷電容器瓷料的制造方法，其特征是：
第一步：摻雜BaTi?O3燒塊的合成；
首先按BaCO3?65-78?Wt%，工業(yè)級(jí)或電子一級(jí)TiO2?20-30?Wt%，La系稀土2-5?Wt%配比原料；然后將配好的原料混合球磨3-4小時(shí)，砂磨細(xì)化4-5小時(shí)后煅燒合成摻雜BaTi?O3燒塊，合成溫度及保溫時(shí)間為1240±5℃/2H，再將高溫合成的摻雜BaTi?O3燒塊粉碎過(guò)篩，最后對(duì)粉碎過(guò)篩后的燒塊進(jìn)行檢測(cè)；
第二步：Tc移動(dòng)劑燒塊的合成；
首先按Nd2O3?55-61?Wt%，ZrO2?27-33?Wt%?，SnO2?8-14?Wt%，?MnCO3?1-3?Wt%配比原料；然后將配好的原料混合球磨3-4小時(shí)后壓濾，將過(guò)濾后的原料煅燒合成Tc移動(dòng)劑燒塊，合成溫度及保溫時(shí)間為1200±5℃/2H，再將高溫合成的Tc移動(dòng)劑燒塊粉碎過(guò)篩，最后對(duì)粉碎過(guò)篩后的燒塊進(jìn)行檢測(cè)；
第三步：瓷料制造；
首先按摻雜BaTi?O3燒塊99-99.7Wt%，Tc移動(dòng)劑燒塊0.3-1.0Wt%配比原料；然后將配好的原料混合球磨3-4小時(shí)，砂磨細(xì)化4-5小時(shí)后干燥、粉碎、過(guò)篩得到瓷料，最后對(duì)瓷料進(jìn)行電性能檢測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低成本表面層型半導(dǎo)體陶瓷電容器瓷料的制造方法，其特征是：所述La系稀土為Nd2O3或La2O3或CeO2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低成本表面層型半導(dǎo)體陶瓷電容器瓷料的制造方法，其特征是：所述混合球磨的料：球：水=1：2-2.5：0.8-1.25。
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