[發(fā)明專(zhuān)利]氮化鈦化學(xué)氣相沉積設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310122127.6
• 申請(qǐng)日: 2013-04-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103194730A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/34;C23C16/458
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種氮化鈦化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括用于承載硅片的底座以及設(shè)置于所述硅片上端的噴頭，其特征在于，所述底座的上表面所在的平面與所述噴頭的噴射方向之間的夾角為60～89度，還包括驅(qū)動(dòng)部件，所述驅(qū)動(dòng)部件與所述底座連接，驅(qū)動(dòng)所述底座繞垂直于所述底座的上表面的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化鈦化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述底座的上表面所在的平面與所述噴頭的噴射方向之間的夾角為85～89度。

3.如權(quán)利要求1所述的氮化鈦化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)軸的位置與所述鎢通孔的位置相對(duì)應(yīng)。

4.如權(quán)利要求1所述的氮化鈦化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，還包括溫度控制裝置，所述溫度控制裝置與所述底座相連。

5.如權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的氮化鈦化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述底座的上表面上還設(shè)有吸附所述硅片的吸附裝置。