[發明專利]有機電致發光器件及其制作方法

無效

• 申請號: 201310121564.6
• 申請日: 2013-04-09
• 公開（公告）號: CN104103770A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張娟娟
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊設置的基板、陽極層、有機發光功能層及陰極層，其特征在于，所述有機電致發光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極層、所述有機發光功能層及所述陰極層封裝在所述基板上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第二有機阻擋層、形成于所述第二有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第三有機阻擋層、形成于所述第三有機阻擋層表面的第四有機阻擋層以及形成于所述第四有機阻擋層表面的第二無機阻擋層；

其中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的材料為1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－鄰菲羅啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；

所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的材料為4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；

所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物和氮化物，所述碲化物選自Sb₂Te₃、Bi₂Te、CdTe、In₂Te₃、SnTe及PbTe中的至少一種，所述氮化物選自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一種，且所述碲化物占所述第一無機阻擋層的質量百分數為10～30%；

所述第二無機阻擋層的材料包括氮化物和硒化物，所述氮化物選自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一種，所述硒化物選自Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂及Cu₂Se中的至少一種，且所述硒化物占所述第二無機阻擋層的質量百分數為10～30%。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數量為2～4個，多個封裝蓋層疊設置。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層與所述第二有機阻擋層的材料不同，所述第一有機阻擋層與所述第三有機阻擋層的材料相同，所述第二有機阻擋層的材料與所述第四有機阻擋層的材料相同。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的厚度相同，為200～300nm。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的厚度相同，為200～300nm。

6.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為100～200nm。

7.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第二無機阻擋層的厚度為100～200nm。

8.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機發光功能層包括在所述陽極層上依次層疊設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層。

9.如權利要求8所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬按照30%的摻雜質量百分比摻雜在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺中形成的混合材料；所述空穴傳輸層的材料為4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述發光層的材料為三（2-苯基吡啶）合銥按照5%的摻雜質量百分比摻雜在1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成的混合材料；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；所述電子注入層的材料為氮化銫按照30%的摻雜質量百分比摻雜在4,7-二苯基-1,10-菲羅啉中形成的混合材料。

10.一種有機電致發光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在潔凈的導電基板表面刻蝕制備有機電致發光器件的陽極圖形；

采用真空蒸鍍的方式在所述導電基板的陽極圖形表面依次蒸發鍍制有機發光功能層和陰極層；

采用真空蒸鍍的方式蒸發鍍制第一有機阻擋層并使所述第一有機阻擋層將所述陽極圖形、所述有機發光功能層及所述陰極層封裝與所述導電基板上，然后采用真空蒸鍍的方式在所述第一有機阻擋層表面鍍制第二有機阻擋層；

采用磁控濺射的方式在所述第二有機阻擋層表面濺射制備第一無機阻擋層；

采用真空蒸鍍的方式在所述第一無機阻擋層表面蒸發鍍制第三有機阻擋層，并在所述第三有機阻擋層表面鍍制第四有機阻擋層；

采用磁控濺射的方式在所述第四有機阻擋層表面濺射制備第二無機阻擋層；

其中，所述第一有機阻擋層及所述第三有機阻擋層的材料為1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－鄰菲羅啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；

所述第二有機阻擋層及所述第四有機阻擋層的材料為4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；

所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物和氮化物，所述碲化物選自Sb₂Te₃、Bi₂Te、CdTe、In₂Te₃、SnTe及PbTe中的至少一種，所述氮化物選自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一種，且所述碲化物占所述第一無機阻擋層的質量百分數為10～30%；

所述第二無機阻擋層的材料包括氮化物和硒化物，所述氮化物選自Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN及TiN中的至少一種，所述硒化物選自Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂及Cu₂Se中的至少一種，且所述硒化物占所述第二無機阻擋層的質量百分數為10～30%。