[發(fā)明專利]基于半透明復(fù)合陰極的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310121301.5
• 申請(qǐng)日: 2013-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN103219471A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝文法;劉士浩;尹勇明;陳兆營(yíng);劉旸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉林大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 長(zhǎng)春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種采用半透明復(fù)合陰極的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，由襯底、金屬陽極、有機(jī)功能層、陰極和光取出層組成，有機(jī)功能層中依次包括空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層和電子傳輸層；其特征在于：陰極為金屬/半導(dǎo)體/金屬的復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其中金屬材料為金或銀，半導(dǎo)體材料為鍺。

2.如權(quán)利要求1所述的一種采用半透明復(fù)合陰極的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：金屬層的厚度為5～15nm，半導(dǎo)體層的厚度為5～15nm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種采用半透明復(fù)合陰極的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：在金屬陽極和空穴傳輸層間增加陽極修飾層，在電子傳輸層和陰極之間增加陰極修飾層。

4.權(quán)利要求3所述的一種采用半透明復(fù)合陰極的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下：

1)將襯底依次用甲苯、丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗，然后烘干；

2)將處理好的襯底置于多源有機(jī)分子氣相沉積系統(tǒng)中，在1×10^-4Pa～8×10^-4Pa條件下利用陽極掩模版在襯底上生長(zhǎng)金屬陽極，蒸發(fā)速率為0.1～0.5nm/s；

3)維持上述真空條件不變，在金屬陽極上利用有機(jī)掩膜板依次蒸鍍陽極修飾層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極修飾層，陽極修飾層、空穴傳輸層、發(fā)光層的生長(zhǎng)速率為0.1～0.2nm/s，電子傳輸層、陰極修飾層的蒸發(fā)速率為0.01～0.02nm/s；

4)維持上述真空條件不變，利用陰極掩膜板在陰極修飾層之上繼續(xù)依次蒸鍍金屬/半導(dǎo)體/金屬的新型結(jié)構(gòu)作為復(fù)合陰極，第一金屬層的蒸發(fā)速率為0.1～0.5nm/s；半導(dǎo)體的蒸發(fā)速度為0.01～0.05nm/s；第一金屬層的蒸發(fā)速率為0.02～0.05nm/s；

5)維持上述真空條件不變，在復(fù)合陰極之上繼續(xù)蒸鍍光取出層，其蒸鍍速度為0.1～0.5nm/s，從而得到采用半透明復(fù)合陰極的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。