[發明專利]使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法有效
| 申請號： | 201310120787.0 | 申請日： | 2013-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN103196728A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 陳強 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 fib 技術 制備 sem tem 樣品 保護層 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法，用于目標表面為金屬材質的樣品，其特征在于，包括：
使用電子束選擇性掃描目標區域；
SEM或TEM中的氣態有機雜質在所述電子束的作用下在所述目標區域上沉積有機材質層；
在所述有機材質層上沉積金屬保護層。
2.如權利要求1所述的使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法，其特征在于，在所述目標區域上沉積有機材質層的電子束的加速電壓為2000v-5000v。
3.如權利要求1所述的使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法，其特征在于，所述目標表面的金屬材質為NiSi或CoSi。
4.如權利要求3所述的使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法，其特征在于，在所述有機材質層上沉積鉑材料形成金屬保護層。
5.如權利要求1所述的使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法，其特征在于，在所述有機材質層上沉積鎢材料形成金屬保護層。
6.如權利要求1所述的使用FIB技術制備SEM或TEM樣品保護層的方法，其特征在于，在所述有機材質層上沉積鉑材料形成金屬保護層。
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