[發明專利]包含有用于減小熱應力的緩沖層的靜電吸盤

無效

• 申請號: 201310120710.3
• 申請日: 2009-09-08
• 公開（公告）號: CN103227138A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 崔鎮植;崔正德
• 申請（專利權）人: 高美科株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

1.一種制造靜電吸盤的方法，包括：

制備具有穿透孔的主體；

形成對應于所述穿透孔且具有緩沖層的端子單元，所述緩沖層用于吸收熱應力；

組合所述主體和所述端子單元，使得所述端子單元穿透所述穿透孔，并從所述主體的頂部表面突出，并且所述緩沖層設于所述主體和端子單元之間；

在所述主體上形成下基板，使得所述端子的頂部表面暴露出來，并且所述緩沖層設于所述下基板和端子單元之間；

在所述下基板上形成電極，使得所述電極與所述暴露出來的端子單元形成接觸；以及

在所述下基板和所述電極上形成上基板。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成所述端子單元包括：

將端子插入絕緣體中，使得所述端子的端部暴露出來，從而形成所述端子和部分地包住所述端子的絕緣體的組合；以及

在所述端子和絕緣體的組合表面上形成所述緩沖層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中形成所述緩沖層包括：

從所述端子和絕緣體的組合部分地除去所述絕緣體，從而在所述端子和絕緣體的組合的表面上形成緩沖區域；以及

將所述緩沖層涂覆在所述緩沖區域上。

4.根據權利要求3所述的方法，其中涂覆所述緩沖層包括在所述緩沖區域上進行常壓等離子噴涂工藝。

5.根據權利要求2所述的方法，在形成所述緩沖層之后，還包括進行倒角工藝，從而使邊沿部分成為圓形。

6.一種靜電吸盤，包括：

主體，其具有穿透孔和圍繞所述穿透孔的斜面；

基板，其安裝在所述主體上并包括下基板和上基板，所述下基板位于所述主體上并具有連接至所述穿透孔的插入部分，所述插入部分配置成使得靠近所述主體的斜面的第一厚度大于遠離所述主體的斜面的第二厚度，上面有襯底的所述上基板位于所述下基板上；

電極，其置于所述下基板和上基板之間，使得所述電極從所述插入部分局部地暴露出來；

端子單元，其具有端子和絕緣體，所述端子通過所述主體的穿透孔和所述下基板的插入部分與所述電極形成接觸，所述絕緣體位于所述主體和所述主體的穿透孔中的端子之間；以及

緩沖層，其設置在所述主體和所述基板中的至少一個與所述端子單元之間的邊界區域，并吸收熱應力。

7.根據權利要求6所述的靜電吸盤，其中所述上基板在所述下基板的插入部分周圍更厚。

8.根據權利要求6所述的靜電吸盤，其中所述緩沖層包括陶瓷材料，并且所述緩沖層的孔隙度等于或大于所述基板的孔隙度。

9.根據權利要求8所述的靜電吸盤，其中所述緩沖層的孔隙度在大約2%到大約10%的范圍。

10.根據權利要求8所述的靜電吸盤，其中所述緩沖層位于所述主體和絕緣體之間的第一邊界區域上，并且在所述基板和所述穿透孔中的所述絕緣體之間的第二邊界區域上，并且位于所述基板和所述端子之間的第三邊界區域上。