[發明專利]一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構

有效

• 申請號: 201310119165.6
• 申請日: 2013-04-08
• 公開（公告）號: CN103199183A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 趙志偉;江彥志
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，至少包括一支架系統、一膠杯與支架系統之外圍相連接、一含有吸光基板的LED芯片置于支架系統之上及封裝膠分布于LED芯片之外圍，其特征在于：還包括擋板，其包圍所述吸光基板的外側壁，用于減少基板吸光。

2.根據權利要求1所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述擋板與所述支架系統為一體成型。

3.根據權利要求1所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述擋板與所述支架系統非一體成型。

4.根據權利要求3所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述擋板為分布布拉格反射層或金屬反射層或全方位反射層或涂布反射材料的膠杯。

5.根據權利要求1所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述LED芯片的基板與擋板之間存有部分間隙。

6.根據權利要求5所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述LED芯片的基板與擋板之間存有間隙的部分填充有反射性材料。

7.根據權利要求1所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述擋板緊貼于所述LED芯片的吸光基板的側壁。

8.根據權利要求1所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述擋板的高度大于或者等于吸光基板的LED芯片的基板厚度的1/2且小于或者等于吸光基板的LED芯片的基板厚度。

9.根據權利要求1所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述吸光基板具有靠近所述LED芯片的一側上與水平平面成傾斜角并從下向上變窄的第一側面及遠離所述LED芯片的一側上與水平平面成垂直的第二側面。

10.根據權利要求9所述的一種提高垂直發光二極管芯片亮度的封裝結構，其特征在于：所述傾斜角的角度范圍為30°~85°。

11.一種照明系統，其設有發光二極管芯片的封裝結構，所述封裝結構至少包括：一支架系統、一膠杯與支架系統之外圍相連接、一硅基板LED芯片置于支架系統之上及封裝膠分布于硅基板LED芯片之外圍，所述硅基板的側面與封裝膠接口處形成氣泡結構。

12.根據權利要求11所述的一種照明系統，其特征在于：所述封裝結構為LED燈珠結構。