[發(fā)明專利]集成電路的電路性能最佳化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310116486.0
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN103268369A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭英周;歐宗樺;許志瑋;蔡正隆;劉如淦;黃文俊;羅博仁
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

本申請是中國申請?zhí)枮?01010197756.1、發(fā)明名稱為“集成電路方法”的專利申請的分案申請，原申請的申請日是2010年06月03日。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種集成電路(IC)方法,特別是涉及一種最佳化電路性能的IC方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體廠中處理半導(dǎo)體晶圓，以在晶圓上的不同區(qū)域形成各種IC。形成在半導(dǎo)體基材上的IC包含多個半導(dǎo)體裝置。使用各種半導(dǎo)體制造工藝來形成半導(dǎo)體裝置，其中包含蝕刻(Etching)、微影(Lithography)、離子植入法(Ion?Implantation)、薄膜沉積(Thin?Film?Deposition)以及熱退火(Thermal?Annealing)。然而，現(xiàn)階段用來形成一IC的制造方法中，應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的熱退火工藝在半導(dǎo)體裝置的性能中引進(jìn)了不均勻性(Non-Uniformity)的問題。電氣(Electrical)性能在形成于半導(dǎo)體晶圓上的裝置之間變化，降低IC的整體品質(zhì)。當(dāng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)進(jìn)步至先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(例如65奈米(nm)、45奈米、或30奈米及更小的尺寸)，問題是更嚴(yán)重的。因此，需要一IC結(jié)構(gòu)以及制造相同結(jié)構(gòu)的方法來解決上述的問題。

由此可見，上述現(xiàn)有的集成電路方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般方法又沒有適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的集成電路方法，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

有鑒于上述現(xiàn)有的集成電路方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的集成電路方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的集成電路方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計,并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路方法存在的缺陷，而提供一種新的集成電路方法，所要解決的技術(shù)問題是使其提供一種應(yīng)用于晶圓制造的IC方法，可完成均勻的退火效應(yīng)，進(jìn)而最佳化電路性能，非常適于實用。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種集成電路方法,其包括以下步驟：提供一集成電路設(shè)計布局；進(jìn)行一模擬熱效應(yīng)步驟,藉以模擬該集成電路設(shè)計布局的一熱效應(yīng)；進(jìn)行一模擬電氣性能步驟，藉以根據(jù)該熱效應(yīng)的模擬來模擬該集成電路設(shè)計布局的一電氣性能；以及根據(jù)該電氣性能的模擬，進(jìn)行該集成電路設(shè)計布局的一熱虛擬置入。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。

前述的集成電路方法，其中更包含在進(jìn)行該集成電路設(shè)計布局的該熱虛擬置入之后，根據(jù)該集成電路設(shè)計布局制造一遮罩。

前述的集成電路方法，其中更包含使用該遮罩制造一晶圓。

前述的集成電路方法，其中更包含在制造該遮罩之前，重復(fù)進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟、進(jìn)行該模擬電氣性能步驟、以及進(jìn)行該集成電路設(shè)計布局的該熱虛擬置入，且其中重復(fù)進(jìn)行該集成電路設(shè)計布局的該熱虛擬置入包含加入一熱虛擬特征、從新定義一熱虛擬特征的尺寸、從新定義一熱虛擬特征的位置、及從新定義一熱虛擬特征的形狀其中的至少一者。

前述的集成電路方法，其中所述的進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟包含模擬在一退火工藝中，一輻射光束的反射、傳輸及吸收。

前述的集成電路方法，其中所述的進(jìn)行該模擬電氣性能步驟包含模擬一離子植入工藝，或包含萃取臨界值電壓及飽和電流其中至少一者。

前述的集成電路方法，其中所述的進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟包含使用一熱模型模擬該集成電路設(shè)計布局的該熱效應(yīng)，且更包含：提供多個測試圖案,其中每一該些測試圖案具有個別的線寬、線的間距、及線密度；收集該些測試圖案的熱資料；以及根據(jù)該熱資料建構(gòu)該熱模型。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種集成電路方法，其包括以下步驟：提供多個測試圖案；收集該些測試圖案的熱資料；根據(jù)該熱資料建構(gòu)一熱模型；以及使用該熱模型，將多個熱虛擬特征加入至一集成電路設(shè)計。

本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。