[發(fā)明專利]晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310114440.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103367415A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐佐木善伸;久留須整 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L29/772 | 分類號(hào): | H01L29/772;H01L23/34 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李浩 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 | ||
1.?一種晶體管,其中包括:
半導(dǎo)體襯底;
第一電極,配置于所述半導(dǎo)體襯底上,并且具有第一及第二部分;
第二電極,在所述半導(dǎo)體襯底上與所述第一電極分離地配置;
控制電極,在所述半導(dǎo)體襯底上配置于所述第一電極與所述第二電極之間;以及
第一散熱板,該第一散熱板不與所述第一電極的所述第一部分接合,而與所述第二部分接合。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管,其中,
在所述第一及第二電極以及所述控制電極存在的區(qū)域的外側(cè),所述第一散熱板與所述半導(dǎo)體襯底接合。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體管,其中,
所述第一部分為所述第一電極的端部。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體管,其中,
還包括設(shè)在所述第一部分與所述第二部分之間的第一電阻。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體管,其中,
所述控制電極具有與所述第一部分相向的第三部分、和與所述第二部分相向的第四部分,
還包括設(shè)于所述第三部分與所述第四部分之間的第二電阻。
6.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體管,其中,
還包括第二散熱板,該第二散熱板與所述第一電極的所述第二部分不接合,而與所述第一部分接合,其散熱性能低于所述第一散熱板。
7.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體管,其中,
還包括高熱電阻膜,該高熱電阻膜設(shè)在所述第一電極的所述第一部分與所述第一散熱板之間,具有比所述第一電極及所述第一散熱板高的熱電阻。
8.?一種晶體管,其中包括:
半導(dǎo)體襯底;
第一電極,配置于所述半導(dǎo)體襯底上,并且具有第一及第二部分;
第二電極,在所述半導(dǎo)體襯底上與所述第一電極分離地配置;以及
控制電極,在所述半導(dǎo)體襯底上,該控制電極配置于所述第一電極與所述第二電極之間,
所述第一電極的所述第一部分比所述第二部分粗。
9.?一種晶體管,其中包括:
半導(dǎo)體襯底;
多個(gè)第一電極,彼此平行地配置于所述半導(dǎo)體襯底上;
多個(gè)第二電極,在所述半導(dǎo)體襯底上平行地配置于所述多個(gè)第一電極之間;以及
多個(gè)控制電極,在所述半導(dǎo)體襯底上,所述多個(gè)控制電極分別配置于所述第一電極與所述第二電極之間,
所述多個(gè)控制電極具有第一控制電極和第二控制電極,該第二控制電極配置于所述第一控制電極旁且比所述第一控制電極短。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





