[發明專利]磁分析器

有效

• 申請號: 201310114301.2
• 申請日: 2013-04-02
• 公開（公告）號: CN104103479B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 郭楠;曹志偉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01J37/05
• 分類號: H01J37/05
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術領域

本發明涉及離子注入領域，特別是涉及一種磁分析器。

背景技術

在一般的互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造流程中，第一步往往是定義MOSFET的有源區。現在的許多亞微米工藝通常采用雙阱工藝來定義nMOS和pMOS晶體管的有源區，阱注入工藝在決定了晶體管閾值電壓的同時，還涉及到CMOS電路門鎖效應和其它一些可靠性方面的問題。

傳統的制造工藝中，每個阱的形成都至少包括三到五步主要步驟，嚴重影響制造周期（cycle?time）。為滿足客戶快速搶占市場的需求，在既定產能的條件下，有效改善cycle?time刻不容緩。

發明內容

基于此，有必要提供一種能提高離子注入的效率的磁分析器。

一種磁分析器，包括軛鐵和設于軛鐵外的磁鐵，所述軛鐵包圍形成的離子飛行管道內設有束板，所述束板上開有多個穿透束板的離子通道，每個所述離子通道對應一特定質荷比離子的偏轉半徑。

在其中一個實施例中，所述離子通道是通孔。

在其中一個實施例中，所述離子通道是狹縫。

在其中一個實施例中，所述束板的材質為石墨。

在其中一個實施例中，還包括固定設置于所述束板上的固定件和與所述固定件活動連接的擋片，所述擋片可將所述離子通道遮擋。

上述磁分析器能夠一次性析出多種離子，實現了阱注入工藝多種離子的一次性注入，提高了離子注入的效率，降低了制造周期（cycle?time），提高了生產效率。

附圖說明

圖1是一實施例中磁分析器的結構示意圖；

圖2是一實施例中束板的剖視圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

阱注入使用的離子注入設備包含磁分析器，用于選擇出需要注入的離子。傳統的磁分析器一次只能選擇出一種質荷比的離子，對于需要注入多種離子的阱注入工藝，制造周期（cycle?time）較長。

因此，本發明提供一種可以一次析出多種離子的磁分析器，包括軟磁材料的軛鐵，軛鐵外壁貼設有磁鐵，通過軛鐵包圍形成供離子束通過的離子飛行管。請參照圖1，本發明在軛鐵包圍形成的離子飛行管道內增設了一塊束板10。圖2是一實施例中束板10的剖視圖，束板10上開有多個穿透束板的離子通道，每個離子通道對應一特定質荷比的離子的偏轉半徑。我們知道根據帶電粒子在磁場中運動的原理，質荷比不同的離子在某一吸極電壓和磁場強度條件下，其偏轉半徑不同，本發明于磁分析器預設的電場強度和磁場強度條件下，計算出阱注入工藝所需幾種特定離子的偏轉半徑，再于束板10上開設出與偏轉半徑對應的離子通道。

圖2所示實施例中需要析出3種離子，其偏轉半徑分別為R1、R2、R3。磁分析器在工作時，被選擇的偏轉半徑為R1、R2、R3的離子都能通過磁分析器，其余離子則被束板所阻擋。通過磁分析器的離子再通過聚焦裝置聚焦在一起，從而實現多種離子一次性注入。離子通道可以是至少一個通孔，也可以是縫隙。

上述磁分析器能夠一次性析出多種離子，實現了阱注入工藝多種離子的一次性注入，降低了制造周期（cycle?time），提高了生產效率。

在其中一個實施例中，束板為石墨束板。

在優選的實施例中，可以于束板上每個離子通道處增設活動機構，每個活動機構可以實現對應離子通道的遮擋/打開，以適應不同的阱注入工藝。在其中一個實施例中，磁分析器包括固定設置于束板上的固定件和與固定件活動連接的擋片，通過移動擋片可以實現對離子通道的遮擋/打開。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。