[發明專利]熒光粉體及發光裝置

有效

• 申請號: 201310111580.7
• 申請日: 2013-04-01
• 公開（公告）號: CN103361055A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 呂宗昕;楊哲遠
• 申請（專利權）人: 呂宗昕
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;C09K11/59;H01L33/50
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 李春晅;叢芳

1.一種包括堿土族離子、Si離子、N離子及Tb離子的熒光粉體，其特征在于，Tb離子為發光中心，且該熒光粉體以Tb離子可吸收的激發光激發，具有半高寬大于20nm的放射峰。

2.根據權利要求1所述的熒光粉體，其特征在于，該堿土族離子為Mg離子、Ca離子、Sr離子、Ba離子或其組合。

3.根據權利要求1所述的熒光粉體，其特征在于還包括Mg離子、Ca離子、Sr離子、Ba離子、Ti離子、Cu離子、Zn離子、B離子、Al離子、In離子、Sn離子、Sb離子、Bi離子、Ga離子、Y離子、La離子、Lu離子、Li離子、Na離子、K離子、Ce離子、Pr離子、Nd離子、Pm離子、Sm離子、Eu離子、Gd離子、Dy離子、Ho離子、Er離子、Tm離子、Yb離子、Mn離子或其組合。

4.根據權利要求1所述的熒光粉體，其特征在于是如式(I)所示：

T_xE_ySi_zN_rTb_aL_bM_c????(I)，

其中，

T為Mg、Ca、Sr或Ba；

E為Mg、Ca、Ba、Ti、Cu、Zn、B、Al、In、Sn、Sb、Bi、Ga、Y、La或Lu；

L為Li、Na或K；

M為Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Mn；

1.4≤x≤2.6，0≤y≤0.5，4.3≤z≤5.6，7.4≤r≤9，0.01≤a≤0.5，0≤b≤0.5，0≤c≤0.5；以及，

其中，Tb離子為發光中心，且該熒光粉體以Tb離子可吸收的激發光激發，具有半高寬大于20nm的放射峰。

5.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于，該熒光粉體以Tb離子可吸收的激發光激發，具有半高寬大于25nm的放射峰。

6.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于，該熒光粉體以波長350至600nm的激發光激發，具有半高寬大于20nm的放射峰。

7.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于，該熒光粉體，于波長范圍350至600nm之間具有半高寬大于50nm的激發峰。

8.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于，該熒光粉體波長350至600nm激發峰強度的積分面積大于波長200至350nm激發峰強度的積分面積的0.1倍。

9.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于，該熒光粉體的制備是包括合成反應，其是于還原氣氛、大于1100℃的溫度中實施。

10.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于，該熒光粉體的平均粒徑為0.01μm至50μm。

11.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于具有式T_xSi_zN_rTb_a。

12.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于具有式T_xSi_zN_rTb_aL_b。

13.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于具有式T_xSi_zN_rTb_aM_c。

14.根據權利要求4所述的熒光粉體，其特征在于具有式T_xE_ySi_zN_rTb_a。

15.一種發光裝置，其特征在于具有根據權利要求1-14中任意一項所述的熒光粉體。

16.根據權利要求15所述的發光裝置，其特征在于是發光二極管。