[發明專利]一種用電可擦除存儲器實現芯片保護自鎖的方法無效
| 申請號: | 201310111515.4 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN104077545A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發明(設計)人: | 黃春江 | 申請(專利權)人: | 上海芯正電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F21/79 | 分類號: | G06F21/79 |
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| 地址: | 200082 上海市楊*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用電 擦除 存儲器 實現 芯片 保護 方法 | ||
技術領域
本發明屬于信息加密技術,尤其涉及一種用電可擦除存儲器結構附加控制邏輯實現芯片保護自鎖的方法。
背景技術
眾所周知,目前用于加密領域的各種芯片中,需要保護芯片內的密碼,如果密碼被破解芯片就被破解了,而窮舉法蠻力攻擊破解法,可以多次嘗試發出校驗密碼指令,通過足夠多次的不同密碼嘗試,試出芯片的密碼。因此芯片內需要一種高效的保護方法,來有效防止窮舉法蠻力攻擊破解。
發明內容
本發明需要解決的技術問題之一在于提供一種用電可擦除存儲器結構實現芯片保護自鎖的方法。
針對上述的技術方案為:
用電可擦除存儲器結構附加控制邏輯實現芯片自鎖的功能,控制邏輯檢測到密碼校驗錯誤后,就把密碼錯誤計數器減1,每次校驗密碼時,控制邏輯控制密碼錯誤計數器的每個比特位從“1”被寫為“0”,但禁止從“0”被寫為“1”。當密碼錯誤計數器的值減為0時,控制邏輯禁止對芯片校驗密碼及讀寫等所有操作,實現芯片的自鎖保護,使得無法再進行嘗試校驗密碼。
本發明的技術效果為,提供一種用電可擦除存儲器結構實現芯片保護自鎖的方法,控制邏輯檢測到連續密碼校驗錯誤后,就把錯誤計數器清0,禁止對芯片繼續校驗密碼及讀寫等所有操作,實現芯片的自鎖保護。
附圖說明
圖1為電可擦除存儲器(EEPROM)示意圖;
圖2為本發明的實施例所描述的示意圖;
圖3為本發明的芯片自鎖保護結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本發明作詳細說明。
如圖1,描繪出了電可擦除存儲器(EEPROM)示意圖。EEPROM寫控制信號高電平有效,即只有當寫控制信號為高電平“1”時,才可以向EEPROM中寫入數據,當寫控制信號為低電平“0”時,禁止向EEPROM中寫入數據。
圖2為本發明的實施例所描述的示意圖。用電可擦除存儲器(EEPROM)結構附加控制邏輯實現密碼錯誤計數器的功能。密碼錯誤計數器中一個單元的數據可輸出并暫存在寄存器中,寄存器的輸出端連接到與非門的輸入端。如果密碼錯誤計數器中數據為“0”,則寄存器中的數據也為“0”,導致與門的一個輸入為“0”,不論密碼錯誤計數器的寫控制信號是哪種電平狀態,與非門的輸出均為低電平“0”,從而禁止向密碼錯誤計數器中寫入數據。如果密碼錯誤計數器單元中數據為“1”,則寄存器中的數據也為“1”,導致與門的一個輸入為“1”,如密碼錯誤計數器的寫控制信號是有效高電平“1”,則與門的輸出為高電平“1”,從而允許向密碼錯誤計數器中寫入數據。每次校驗密碼時,控制邏輯控制密碼錯誤計數器的每個比特位從“1”被寫為“0”,但禁止從“0”被寫為“1”。使得密碼錯誤計數器在檢測到連續密碼校驗錯誤被清0后,禁止被改寫,從而實現了自鎖的功能。
如圖3為實施本發明的芯片自鎖結構示意圖,當電源及上電復位電路上電工作后,控制電路控制接口電路將芯片外部命令及數據導入,控制電路處理外部命令并控制對密碼錯誤計數器的操作,以及控制接口電路將芯片內部應答數據導出。控制電路對密碼錯誤計數器的讀寫進行控制,即控制實現芯片自鎖功能。
本發明可以在不背離本發明的精神或基本特征以其它具體形式實施,因此目前公開的實施例在所有的方面都被認為是說明性的而不是限制性的,本發明的范圍由權利要求指出,所以其中也包括了在權利要求中的等同物的意思和范圍中出現的所有變化。
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