[發明專利]有機電致發光器件及其封裝方法

無效

• 申請號: 201310110273.7
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN104078619A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;梁祿生
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及電致發光技術領域，特別是涉及一種有機電致發光器件及其封裝方法。

背景技術

有機電致發光器件（OLED）是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層，發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光輻射。

OLED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點，被業內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年里發展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發，大大的推動了OLED的產業化進程，使得OLED產業的成長速度驚人，目前已經到達了大規模量產的前夜。

然而，OLED中的發光層對于大氣中的污染物、氧氣、水汽等十分敏感，在污染物、氧氣及水汽等的作用下發生化學反應會導致發光量子效率的降低，而陰極一般由較活潑的金屬形成，在空氣或氧氣中易受侵蝕，從而導致OLED的穩定性較差，使用壽命較短。

發明內容

基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機電致發光器件。

進一步，提供一種有機電致發光器件的封裝方法。

一種有機電致發光器件，包括陽極導電基板、發光功能層、陰極和封裝蓋，所述發光功能層和陰極依次層疊于所述陽極導電基板上，所述封裝蓋將所述發光功能層和陰極封裝于所述陽極導電基板上，所述封裝蓋包括依次罩設于所述有機發光功能層和陰極上的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層；其中，

所述第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物，所述第一空穴傳輸材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-聯苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；

所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金，所述碲化物為三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫或碲化鉛，所述第一氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一合金為鋁銀合金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金或金鋅合金；

所述第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-聯苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）鋁或3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；

所述第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二合金，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；所述第二合金為鋁銀合金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金或金鋅合金。

在其中一個實施例中，所述封裝蓋為3～5個，所述3～5個封裝蓋依次罩設于所述發光功能層和陰極。

在其中一個實施例中，所述第一空穴傳輸材料與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100～60:100；所述氟化物與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為10:100～20:100。

在其中一個實施例中，所述第一無機阻擋層中，所述第一氮化物的質量百分含量為10%～40%，所述第一合金的質量百分含量為10%～30%。