[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310110251.0
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN104078579A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件（OLED）是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層，發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光輻射。

有機電致發光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機電致發光器件內部元件的材料發生老化進而失效，從而所述有機電致發光器件的壽命較短。

發明內容

基于此，有必要提供一種壽命較長的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、發光層及陰極，所述有機電致發光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二有機阻擋層及形成于所述第二有機阻擋層表面的第二無機阻擋層；

所述第一有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無機阻擋層的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，所述第二有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無機阻擋層的材料包括氮化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-聯苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）鋁及3-(4-聯苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一種，所述氮化物選自氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鉬中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鉬、硒化鉍、二硒化鈮、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述封裝蓋的數量為2～4，2～4個封裝蓋依次層疊。

在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm～300nm；所述第一無機阻擋層的厚度為100nm～150nm；所述第二有機阻擋層的厚度為200nm～300nm；所述第二無機阻擋層的厚度為100nm～150nm。

在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100～60:100；所述第一無機阻擋層中所述硼化物的質量百分含量為10%～30%，所述硒化物的質量百分含量為10%～30%；所述第二有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100～60:100；所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質量百分含量為10%～30%。

在其中一個實施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發光層及陰極均收容于所述收容腔。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面制備發光層；

在所述發光層表面制備陰極；及