[發明專利]樣品支持器

無效

• 申請號: 201310109475.X
• 申請日: 2013-03-27
• 公開（公告）號: CN103451628A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 今井大輔;猿渡哲也;三科健
• 申請（專利權）人: 株式會社島津制作所
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種樣品支持器(sample?holder)，搭載處理對象的基板且儲存在等離子處理裝置中。

背景技術

在利用等離子化學氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition，CVD)法的成膜處理步驟中，搭載著成膜處理對象的基板的樣品支持器儲存在等離子CVD成膜裝置中。而且，通過借助放電使原料氣體等離子化，而將所需的薄膜形成在基板表面。此時，擔心因搭載基板的樣品支持器的角(corner)部的放電集中而產生異常放電。

為防止因該異常放電而損傷等離子CVD成膜裝置的電極等以致處理停止，而提出了防止在樣品支持器的角部的異常放電的方法(例如，參照專利文獻1)。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2002-373888號公報

因樣品支持器的角部的放電集中，而產生如下問題：形成在基板的靠近樣品支持器的角部的區域的薄膜的膜厚變厚，基板上的膜厚分布的寬度變大。其結果是，產品的特性劣化，制造良率降低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種樣品支持器，可改善在利用等離子CVD法的成膜處理步驟中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。本發明提供一種樣品支持器：所述樣品支持器被儲存在等離子處理裝置中，且所述樣品支持器被安裝在與呈梳齒狀配置的電極對向的位置；所述樣品支持器具有搭載面，所述搭載面沿著定義搭載處理對象的基板的搭載區域的垂直方向延伸，且搭載面的外緣的角部被進行C倒角或R倒角。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

較佳的，前述的樣品支持器，其中所述角部是：在從構成所述角部且鄰接的兩邊的延長線的交點算起1mm～3mm的長度被進行C倒角。

較佳的，前述的樣品支持器，其中所述角部是：以描繪半徑為1mm～5mm的圓弧的方式被進行R倒角。

較佳的，前述的樣品支持器，其中在所述搭載面定義著多個所述搭載區域。

較佳的，前述的樣品支持器，其中所述樣品支持器包含碳。

借由上述技術方案，本發明樣品支持器至少具有下列優點及有益效果：根據本發明，可提供一種樣品支持器，可改善在利用等離子CVD法的成膜處理步驟中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。

附圖說明

圖1表示本發明實施例的樣品支持器的構成的立體示意圖。

圖2表示本發明實施例的樣品支持器的其他構成的立體示意圖。

圖3是圖1所示的樣品支持器的側視圖。

圖4是圖2所示的樣品支持器的側視圖。

圖5表示本發明實施例的樣品支持器具有多個搭載面的示意圖。

圖6用以說明利用了圖5所示的樣品支持器的等離子CVD成膜裝置的成膜處理的示意圖。

圖7表示比較例的樣品支持器的構成的示意圖。

圖8表示圖7所示的樣品支持器的成膜處理步驟后的狀態的照片。

圖9表示本發明實施例的樣品支持器的成膜處理步驟后的狀態的照片。

[符號的說明]

1：基板?????????????????????????10：成膜裝置

11、11A：樣品支持器?????????????12：陰極電極

13：氣體供給裝置????????????????14：交流電源

15：排氣裝置????????????????????20：腔室

100：原料氣體???????????????????101：固定板

110：搭載面?????????????????????111：搭載區域

A：角部?????????????????????????t：長度

r：半徑

具體實施方式

為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的一種樣品支持器的具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。