[發明專利]半導體集成電路及其設計方法

有效

• 申請號: 201310108964.3
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN103366041B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 白尚訓;徐在禹
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50;H01L27/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種設計半導體集成電路的方法，所述方法包括步驟：

從布局數據庫提供先前創建的半導體集成電路的布局，所述布局包括彼此相鄰布置的多個單元,所述多個單元中的每一個指示半導體集成電路中的多個半導體器件；

創建對所述半導體集成電路中的多個半導體器件當中的至少一個半導體器件作出指示的標記層，其中，所述至少一個半導體器件將在寬度、高度及其與所述半導體集成電路中的多個半導體器件當中的相鄰半導體器件的間隔的至少一個方面發生改變，并且其中，所述標記層基于所述半導體集成電路中的多個半導體器件當中的所述至少一個半導體器件的特性的改變；以及

通過將所述標記層應用到所述布局中的所述多個單元中的所選單元來生成所述半導體集成電路的新的庫，所述新的庫指示所述半導體集成電路中的多個半導體器件當中的在寬度、高度和與所述半導體集成電路中的相鄰半導體器件的間隔的至少一個方面發生了改變的所述至少一個半導體器件，

其中，所述標記層指示出以下中的至少一個：所述至少一個半導體器件的邊界；以及包括了所述至少一個半導體器件的單元的邊界。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個半導體器件的特性的改變是所述至少一個半導體器件的電特性和熱特性的至少其中之一的改變。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，根據所創建的新的庫，即使當所述至少一個半導體器件的寬度發生改變時，所述多個半導體器件也具有恒定的管腳間距。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述標記層的創建步驟包括以下步驟的至少其中之一：

創建對所述半導體集成電路中的多個半導體器件當中的所述至少一個半導體器件作出指示的第一標記層；以及

創建對包括了所述半導體集成電路中的多個半導體器件當中的所述至少一個半導體器件的單元作出指示的第二標記層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第二標記層的創建步驟包括：創建指示出所述單元的邊界的第二標記層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述至少一個半導體器件包括鰭式場效應晶體管；

所述鰭式場效應晶體管包括多個有源鰭；并且

所述標記層的創建步驟包括：創建對所述多個有源鰭當中的寬度將被改變的至少一個有源鰭作出指示的標記層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述標記層的創建步驟包括以下步驟的至少其中之一：

創建對所述至少一個有源鰭作出指示的第一標記層；以及

創建對包括了所述至少一個有源鰭的單元作出指示的第二標記層。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，根據所創建的新的庫，即使當所述至少一個有源鰭的寬度發生改變時，所述多個有源鰭也具有恒定的管腳間距。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述至少一個半導體器件包括鰭式場效應晶體管；并且

所述鰭式場效應晶體管包括單個有源鰭。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述半導體集成電路中的多個半導體器件包括多個鰭式晶體管；并且

所述多個鰭式晶體管具有不同的閾值電壓。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述標記層的創建步驟包括：基于所述不同的閾值電壓，創建對多個鰭式晶體管當中的寬度將被改變的至少一個鰭式晶體管作出指示的標記層。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述標記層的創建步驟包括以下步驟的至少其中之一：

創建對所述多個鰭式晶體管當中的所述至少一個鰭式晶體管作出指示的第一標記層；以及

創建對包括了所述至少一個鰭式晶體管的單元作出指示的第二標記層。