[發明專利]一種晶硅太陽能電池疊層鈍化的方法無效
| 申請號： | 201310108913.0 | 申請日： | 2013-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN104091853A | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發明（設計）人： | 李士會 | 申請（專利權）人： | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 鈍化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶硅太陽能電池疊層鈍化工藝，其特征在于：利用濕法氧化的方式在硅片表面形成一定厚度的二氧化硅，之后進行氮化硅膜層沉積。
2.如權力要求1所述的方法，其特征在于：氧化用溶液為硝酸及雙氧水。
3.按照權力要求1所述的晶硅太陽能電池疊層鈍化工藝，其特征在于：在氧化后的硅片表面直接沉積氮化硅膜，實現雙層鈍化。
4.按照權力要求1所述的晶硅太陽能電池疊層鈍化工藝，其特征在于：二氧化硅厚度小于5～15納米，氮化硅厚度65-80納米。
5.如權力要求1所述的多晶硅太陽能電池疊層鈍化工藝，其特征在于：疊層氮化硅的折射率自下而上漸進式降低，并且是連續的。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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